mos管 rl_如何减小温度对MOS管阈值电压的影响?

啊，不好意思，没注意审题，题主问的是chopper input NMOS switch，不是input pair~~~

NMOS switch 不行的话要不先试试CMOS switch或者bootstrap switch ？

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vth是物理定律决定的，除非你有足够大的能量让foundary单独为你调整，而且极有可能会有别的方面的trade-off。所以想要不一样的vth温漂的办法是-----换foundary，或者换process。

话说和PVT作斗争不正是IC工程师最大的乐趣么~~~~

好了回到正题，通常我们只能通过修改电路结构来适应器件的温漂特性。比如说。

1，input增加一级pmos source follower leveling shifting，一来一去基本可以抵消温漂？

2，如果电源电压够高，考虑PMOS input pair或者PMOS input pair + NMOS input pair？

3, 如果你用的工艺衬偏效应比较显著，是不是可以考虑有意识的bulk biasing来缓解vth的温漂？

总之啦，人是活的，办法是想出来的，一个不行再换一个~~~~