温度反转效应

温度反转效应

概念理解

传统工艺下，随着温度的降低，单元延时随之减小。但是在先进工艺下，随着温度的降低，单元延时反而增加的一个现象叫作温度反转效应，可以用下面的图形形象地刻画。所以最差的延时既可能发生在温度最高的情况，也可能发生在温度最低的时候。

温度反转的原因

温度对晶体管有两个影响，一个是晶体管阈值电压，一个是晶体管的迁移率。随着温度降低，晶体管阈值电压增高，晶体管的迁移率提高。但是阈值电压增高会使延时变大，迁移率增加会使延时变小，因而说明在低电压时，对阈值电压的影响起主导作用。

温度对晶体管迁移率的影响

先说结论，如下图随着温度下降，迁移率升高。

如下图载流子迁移率公式。分母中第一项指晶格散射，第二项指电离杂质散射。
1.在掺杂浓度较低时（晶体管的情况）
我们第一项是比较关键，第二项可以忽略。也就是晶格散射占主要地位。浓度反应Ni的值变化。因而随着温度降低，载流子迁移率增大。
2.在掺杂浓度较高时
第二项变得越来越重要（也就是电离杂质散射占主要地位），因而随着温度的降低，迁移率变小。但是如果