【芯片设计】温度对阈值电压的影响？温度翻转效应发生的原因？

温度对晶体管阈值电压的影响是一种重要的影响因素，其影响的原因是由于温度的变化会导致材料本身的物理特性发生变化。

在晶体管的工作中，阈值电压是指控制电压与栅极电压之差，达到这个电压值后晶体管就开始导通。随着温度的变化，导体的电阻会发生变化，从而影响到栅极电压的大小，同时材料的电子特性也会发生变化，从而影响到阈值电压的大小。

一般来说，当温度升高时，阈值电压会降低，这意味着控制电压与栅极电压之差变小，晶体管容易被激发进入导通状态，从而会增加功耗和热量。因此，在设计中需要考虑温度对阈值电压的影响，并对芯片进行充分的温度测试和特性化，以保证芯片在不同温度下的正常工作。

IC芯片必须适应温度不恒定的环境，当芯片运行时，由于开关功耗、短路功耗和漏电功耗会使芯片内部的温度发生变化。温度波动对性能的影响通常被认为是线性的，通常对于一个管子，当温度升高，空穴/电子的迁移率会变慢（晶格振动散射对载流子的影响越来越强），使延时增加。

注意温度翻转效应：

但在深亚微米,温度对性能的影响会导致一种温度反转现象，因为温度的升高也会使管子的阈值电压降低，较低的阈值电压意味着更高的电流，因此管子的延时减小，而在温度较低时，阈值电压带来的变化对性能的影响更大，因此器件会出现一段性能随温度下降的曲线，之后再随温度上升，至于温度翻转点跟具体的工艺相关。

这里可以理解为深亚微米工艺在较低温度时，阈值电压降低带来的daley变化占主导！