常用低内阻场效应管_电源模块中常用的几种MOSFET驱动电路

MOSFET又叫场效应管，输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，因导通内阻低、开关速度快等优点而广泛应用于开关电源中。在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑导通电阻、最大电压、最大电流，常根据电源IC和MOSFET的参数来选择合适的电路。但很多时候仅仅考虑了这些因素并不是一个好的设计方案，还应考虑本身寄生的参数。Mos管驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等都会影响MOSFET的开关性能。下面介绍下电源模块中常用的几种MOSFET驱动电路。

1、电源IC直接驱动MOSFET：

电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式的电源模块，应该注意几个参数以及这些参数的影响。

1、查看一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。

2、了解一下MOSFET的寄生电容，如上图中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把上图中Rg减小也不能解决问题。IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。

2、电源IC驱动能力不足时：