什么情况下铝电解电容可以替换钽电容

多数情况下,在不考虑容量和耐压时钽电解可以替换铝电解,但在耐受瞬态尖峰过压和瞬态大电流放电方面,钽电解不及铝电解,某些场合下的一些变通用法,会使电容两端施加小幅反向电压,钽电解也不可以这样。 滤波用钽电容好 耦合的话尽量用铝电解 “滤波用钽电容好”的说法不一定正确,要看场合 钽电容具有较大的ESR(串连等效电阻)值,瞬态大电流放电特性因而不佳,用于电源的主滤波是不行的,但其串连等效电感低于常见卷绕而成的铝电解,故高频滤波特性比铝电解好,适用于对付高频分量的辅助滤波。所以注意“滤波用钽电容好”是不严谨的说法,有时是错误的。类似道理,“耦合的话尽量用铝电解”的说法就完全错误了,这里钽电解的效果强于铝电解,但对于某些放大电路的耦合端存在正负交变的实际电位,这就不能用钽电解了。最佳的耦合电容是无极性无感低正切损耗角的电容。
电源滤波还是陶瓷的好,22uF相当于铝电解100uF的效果 “22uF相当于铝电解100uF的效果”的说法不是任何时候都成立的 陶瓷独石电容有多种材料和工艺,其中某些型号具有低的串连等效电阻或低的串连等效电感的特性,用于滤波确实不错,但“22uF相当于铝电解100uF的效果”的说法是非常片面的。在50Hz滤波时,100uF铝电解的滤波能力绝对高于22uF的陶瓷电容,但在做开关电源的滤波时,陶瓷电容的优点就体现出来了,但注意,不是任何陶瓷电容都有此特性,需是X5R或X7R材料的才行。

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这是一个应用说明,专用于英飞凌的2500瓦图腾杆全桥功率因数校正(PFC)演示板,包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器,以及1EDI高压MOSFET驱动程序。   这个演示板展示了一个高效的PFC阶段,它利用Infineon的CoolGantm技术的优势,将系统效率提高到99%以上,用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。   增强模式(E模式)氮化镓(GaN)半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷,GaN是一种宽带隙(WBG)材料。因此,这项技术使功率级的新拓扑成为可能,而目前的高压超结(SJ)功率半导体无法解决这一问题。基于这些特性,图腾柱pfc拓扑是利用Infineon的CoolGantm技术优势的完美匹配。   我们的演示板显示了高达2500瓦的可靠运行,基准效率为99.2%。要实现这一点,只需要两个分立的70 MΩCoolGantm开关和两个分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金开关。所有的动力部件都是表面安装设备(SMD),能够实现更快、更便宜的组装过程。该控制采用英飞凌标准的ICE3连续导通模式(CCM)控制芯片实现。PWM开关频率设置为65 kHz。   这个演示板展示了一个高效的PFC阶段,它利用Infineon的CoolGantm技术的优势,将系统效率提高到99%以上,用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。   增强模式(E模式)氮化镓(GaN)半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷,GaN是一种宽带隙(WBG)材料。因此,这项技术使功率级的新拓扑成为可能,而目前的高压超结(SJ)功率半导体无法解决这一问题。基于这些特性,图腾柱pfc拓扑是利用Infineon的CoolGantm技术优势的完美匹配。   我们的演示板显示了高达2500瓦的可靠运行,基准效率为99.2%。要实现这一点,只需要两个分立的70 MΩCoolGantm开关和两个分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金开关。所有的动力部件都是表面安装设备(SMD),能够实现更快、更便宜的组装过程。该控制采用英飞凌标准的ICE3连续导通模式(CCM)控制芯片实现。PWM开关频率设置为65 kHz。

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