为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大，速度慢，价格高-透彻详解

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在前一节，我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍， 并且还提到过一种广为流传的说法：相对于NMOS管，PMOS管的沟道导通电阻更大、速度更慢、成本更高等，虾米情况？我们还是从头说起吧！

 

如果读者有一定的电子技术应用经验的话，对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍，几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管（而不是PMOS管），如正激、反激、推挽、半桥、全桥等拓扑，NMOS管的应用电路案例真心不要太多，如下图所示（当然，这些也并不全是完全独立的，比如ZCS正激推挽）：

 

如果让大家举个PMOS管实际应用电路，恐怕大多数读者除了下图所示的电源开关控制电路外，实在是想不出更多其它实用电路了。

 

我们暂且不管原因何在，但是NMOS管应用场合远比PMOS管要广泛得多，这已经是一个不争的事实，PMOS管可以做到的NMOS管同样也可以做到，真应了那句广告词：人无我有，人有我优。

我们可以看看国际整流器公司（International Rectifier,IR）官方网站的所有MOS管的分类，如下图所示：