电子工程师日常-PMOS选型

小朱在努力

已于 2024-06-22 21:57:00 修改

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分类专栏：电子工程师成长日记文章标签：硬件工程 mcu 嵌入式硬件测试工具

于 2024-06-20 22:24:12 首次发布

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初入职场，知识浅薄，理解不周，还请见谅

今日工作进展较慢，自己对于电路图的熟悉程度较浅，并且对于部分电路的设置依旧存在疑点，深感自己是一个大白菜，日后要不断努力。最后的时间，用来梳理一下，今天遇到的PMOS选型问题，主要从三方面进行概述。

1.PMOS工作原理

2.PMOS选型注意事项

3.PMOS在开关电路中的应用

PMOS工作原理

首先我们来看一下PMOS的基本形状，如下图所示，这是增强型PMOS管，注意上面的二极管其实只是为了方便我们理解，才带有，在很多EDA库中，是不带有这种形式的。这里PMOS可以称为NPN管。

如上图所示为一个PMOS模型。我在电路这方面经过研究生三年的洗礼，已经将其置于十万八千里处，所以对我来说我一开始记住的就是PMOS识别问题，按照我自己的记忆思路，PMOS俗称NPN管，这里其实单独看箭头走向即可，都知道二极管其实是一个PN结，而PN结的很大一个特性就是，单向导通，即电流只能从P流向N。那么就很好分别NPN管啦。

小结：PMOS的识别方法从图像判断主需要看箭头，箭头方向为向外出，则为PMOS。切记：PMOS的电流刘向伟源流之漏极，及S流向D

分别NPN管关键：看走向即可，每一个MOS管都会标记箭头，而这里的箭头，即为从P指向N的箭头，所以箭头方向朝上为PMOS，箭头方向朝下为NMOS，但是请切记栅极和源极之间不存在通路！两者之间仅存在一个寄生电容！

在能正确识别PMOS管后，我就进入了工作原理的分析阶段，对于PMOS来说，导通的条件为Vgs>Vgs(th)，其中Vgs指的是栅极和源极之间的电压差，Vg-Vs，Vgs(th)为阈值电压，我将其理解为阀门，简单的搭一个电路来看一下。

做一个简单的自我分析，这里把1K电阻看做负载，首先这个PMOS的阈值电压设置为-1.5，栅极输入电压为1V，源极输入电压为3.3V，则Vgs=-2，压差大于1.5，所以PMOS导通。当Vgs小于-1.5此时PMOS处于截止状态，

注意：这是理想元件，但是在实际的电路设计中，并非如此

由于，MOS管的制造工艺，其源极和栅极之间存在寄生电容，栅极和漏极之间也存在寄生电容，这时候我就好奇为什么会存在寄生电容呢，为什么就不能做成理想的能？查了相关资料后，才恍然大悟。

MOS管的栅极和源极就相当于两个金属板，而他们两个中间又夹了一层绝缘物质，其实这和电容的制造原理是一致的，所以说在实际的电路应用不可避免的会出现寄生电容的问题，同时由于PCB布局的设置，电感和寄生电阻也是需要考虑的因素。

上图就是MOS管在实际电路应用中存在的寄生电容，注意哦这里是NMOS。那么由电容的充放电原理我们可以推出来一个现象，如果在栅极和源极之间加一个LED灯会发生什么样的情况！当然是，开关断开，LED灯任然会持续的亮一阶段！！！LED亮的时间取决于电容的大小和开关频率的大小！电容充放电就是神！太神奇了！

这个时候，我对寄生电容的问题就有了进一步的理解，为了谨记我犯的愚蠢错误把我的错误贴在这里，由于设计的需要，我在源极接的电压是3.3V，而栅极的电压则是NMOS提供。

我竟然愚蠢的给他串了一个100K的电阻！！这会直接导致流到负载的电流变得很小，导致我在设计中的负载无法驱动！！！！

PMOS选型注意事项

PMOS的选型其实在我理解原理的时候，大概就清楚了，这里将我的个人理解记录一下。

1. PMOS的阈值电压Vgs(th)，试想如果阈值电压是4V但是，你的源极输入电压才3.3V，这是肯定不能导通的，所以Vgs(th)的选取一定要在输入电压下

2.寄生电容，寄生电容的问题，其实主要和元器件本身的封装有关系，寄生电容越小，对电路的影响就越小，试想如果你寄生电容大，那么如果说将其应用在开关电路上，是否会对关断开启产生障碍，发生较大的延时。

3.寄生电阻 Rdson，这个参数在PMOS中的选型也参与着非常重要的角色，我们都知道只要电阻存在必耗能，并且其转换为自身的热能，俗称自己发热，带坏他人。那么如果Rdson过大，其能耗会跟着变大，并且电流也会被减弱，所以Rdson应该尽可能的小。

4.击穿电压Vds，这个电压的选取一定是要大于输入电压的，并且要留够充分的余量。

5.连续漏极电流Id，这个参数事关后续电路的负载，如果负载需要较大电流，那么这时候就需要注意Id的大小

6.此外在调试时，还需要注意温度参数，因为在需要修改，焊接的时候，经常会导致元器件升温，而升温以后，其寄生电阻会发生变化如下图所示

PMOS在开关电路中的应用

其实这个应用对于会的人来说，时非常简单的，但是对于小白的我，还是大白菜的我，确实一开始接触的时候，没有懂得其中的道理！

话不多说直接上图

这时，方波发生源发出-3V的电压，而NMOS的S级电压为0V，此时Vgs为-3，而此时NMOS的Vgs(th)设置为+1.5,所以此时NMOS是截止状态，前段1K两端的电位差为0，所以此时电流也为0，同时PMOS的栅极输入电压为3.3V，Vgs为0，所以此时PMOS不导通，说白了就是利用NMOS来控制PMOS！！！！

下面再看导通时的状态

此时，发现PMOS的ID为3.2mA，为什么现在导通有电流了，其实就是形成了一个回路，对于NMOS来讲，此时栅极的输入电压为3V而源极依旧为0V，以此Vgs=3，满足导通条件，所以此时NMOS的DS之间有电流流过，那么加载在PMOS端的输入电压就为0V，虚拟接地状态，所以此时就Pmos导通，为后续电路提供驱动电流！如果把这个电路应用在控制传感器上，而方波输入源可以等效为单片机的IO口，此时要注意了IO口输出的电压大多为3.3V，并且部分耐受IO口可以达到5V，输出电流在20mA左右，所以需要利用软件来控制相关的IO口是高电平还是低电平！

那么我们要思考一下，试想在单片机IO进行模拟开关时，我们知道不可能达到实时效果，一定会存在一定的延时，那么此时还是会流过些许电流，那么如何处理这些电流呢，这个点今天我的师傅特地点了一下我，查阅了相关资料后，发现只要并上一个电阻接入到地中则可实现。话不多说直接上图