爲什麽一个标准的反相器中PMOS管的寬長比要比N管大

最新推荐文章于 2024-03-31 16:26:28 发布
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分类专栏： 数字IC设计
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主要和载流子有关，P管是空穴导电，N管是电子导电，电子迁移率大于空穴，同样的电场强度下，N管电流大于P管，因此要增大P管的宽长比，使之对称。这样才能使两者上升时间和下降时间相等，高低电平的噪声容限一样、充放电时间相等

cmos管宽长比，OC, OD门和线与逻辑，传输门，竞争冒险，三态门
dxz44444的博客
07-24 1万+
一、OD门介绍 OC（Open Collector）门，又称集电极开路，OD（Open Drain）漏极开路，通过名称就可以判断，OC门是针对三极管来说的，而OD门是针对MOS管而言的。 管子的栅极和输入连接，源极接公共端，漏极悬空（开路）什么也没有接，因此使用时需要接一个适当阻值的电阻到电源，才能使这个管子正常工作，这个电阻就叫上拉电阻。 线与逻辑：即两个输出端（包括两个以上）直接互连就可以实现“AND”的逻辑功能。 通常CMOS门电路都有反相器作为输出缓冲电路，如上图所示，如果将两个CMOS
有关CMOS驱动能力的理解笔记【数集笔记】
最新发布
2303_76355488的博客
01-21 392
由于学校教学的数字集成电路实在是太差，所以不得不寒假自学，遇到了不少问题，在学习CMOS反相器的内容时，百思不得其解有关驱动能力和反相器链等知识点，在网络上搜寻半天，便有了这篇笔记，感兴趣的朋友可以一起讨论。
为什么PMOS管导通电阻比NMOS管要大呢？
mysongshine的博客
03-31 591
电子迁移率(Electron Mobility)
为什么mos管反相器要用pmos管和nmos管构成
hungtaowu的博客
05-12 7832
@数字电路基础 添加链接描述
【IC设计基础】MOS管的开关速度和宽长比的关系
weixin_30907935的博客
07-08 6946
当mos管用做开关时，宽长比越大切换速度是越快还是越慢呢?比如开关管a的W/L=10u：1u，开关管b的W/L是1u：1u。a的导通电阻小，b的寄生电容小，那么到底是导通电阻小时切换速度快还是寄生电容小时切换速度快呢? 解答： As W/L increases, Ron decreases and is faster. there is a threshold that when W/L co...
【数字集成电路原理】【反相器】反相器当输入为0.5（中点）时PMOS和NMOS分别位于饱和区
u010106593的博客
09-14 3791
在学习模拟或者数字电路的过程中，有的小伙伴可能会疑惑，在反相器中，输入逐渐增加，为什么NMOS直接从截止区变为饱和区，和一般认知输入电压增加，NMOS应该从截止区进入线性区再是饱和区出现了分歧。
为什么一个标准的反相器中 P 管的宽长比要比 N 管的大呢？
weixin_33713503的博客
02-02 3776
和载流子有关。P 管是空穴导电，而 N 管是电子导电，电子的迁移率大于空穴。所以在同样的电场下，N 管的电流大于 P 管，因此要增大 P 管的宽长比，使之对称，这样才能使得两者上升下降时间相等、高低电平的噪声容限一样、充放电时间一致。 转载于:https://www.cnblogs.com/PG13/p/10342594.html...
NMOS 场效应晶体管共源组态转移特性，输出特性分析，CMOS 反相器的直流仿真和瞬态仿真
12-20
CMOS反相器由一个PMOS（P沟道金属氧化物半导体）和一个NMOS晶体管并联组成，通过控制输入电压来决定输出状态。在直流仿真中，我们关注静态工作点，即电路在稳态时的电流和电压状态。这有助于我们确定电路的逻辑阈值...
半导体集成电路-NMOS反相器—MOS管负载.pptx
07-14
NMOS反相器由一个驱动管（通常为PMOS）和一个负载管（NMOS）组成，其工作原理和特性是理解集成电路的基础。 在NMOS反相器中，MOS管作为负载时，电路的动态行为主要取决于输入电压（VIN）和电源电压（VDD）。当VIN...
电源技术中的CMOS反相器的直流特性
12-09
在设计过程中，通过调整晶体管的尺寸（宽长比W/L），可以优化反相器的性能，例如提高开关速度、降低功耗或者增加噪声容限。同时，考虑工艺参数、温度变化以及电源电压波动也是设计中的重要因素，因为这些都会影响...
PCB技术中的CMOS反相器
04-23
下图为CMOS结构的剖面示意图，为了能在同一硅材料(Wafer)上制作两种不同类型的MOS器件，必须构造两种不同类型的衬底，图中所示结构是在N型硅衬底上，专门制作一块P型区域(p阱)作为NMOS的衬底的方法。同样地，也可在...
利用Hspice编写.SP文件 分析Cmos反相器
05-06
要分析CMOS反相器，我们需要创建一个.SP（SPICE）文件，这是Hspice的输入文件格式。SP文件包含了电路的元件、连接关系、参数以及仿真命令。例如，`ex33.sp`可能包含以下内容： 1. **元件定义**：声明电路中的每个元...
反相器的Cadence仿真
qq_43534451的博客
10-03 9660
1.启动虚拟机，打开library manager，新建库，并命名为RFIC_sim，并将该库链接到smic13mmrf_1233。 2.在RFIC_sim中新建一个Cell View，命名为INV。在原理图中放置PMOS和NMOS两个器件，设置PMOS和NMOS的宽长比之比为2:1，因为PMOS和NMOS的电子迁移率是不一样的，在相同的开启电压下，它们的导通电阻是不一样的，通常来说，PMOS的导通电阻是比较大一些。为反相器添加端口。 3.如果有端口放反了，选中器件，使用快捷键shift+m,然后将鼠
IC面试数字电路基础
矜持小梦的博客
08-10 1368
PMOS管是空穴导电，NMOS管是电子导电，电子（负电荷）的迁移率约是空穴（正电荷）的2倍。所以PMOS需要更多的通道进行电子迁移，才能和NMOS管相同。f频率，vdd电压，cl电容。升压可提高性能，但同时功耗增加，温度升高，功耗增加。功能：输入高电平，输出为低电平，输入低电平，输出为高电平。为放电过程时间，当电阻电容越小，频率翻转更快。短路功耗：开关导通瞬间的电源和地之间形成短路。0-1为充电，1-0为放电过程。漏电功耗：二极管和晶体管漏电。4.数字组合电路逻辑器件。5.数字时序电路逻辑器件。......
反相器链的尺寸优化&&反相器的功耗计算
Back_to_2049的博客
05-06 6169
在这个条件下，考察Vout从低到高CL被充电，Vout再从高到低CL被放电的过程，通过简单的积分计算可以得知，每完成一次这个充放电的过程，都需要。考虑CMOS反相器的驱动能力，所用MOS管的W/L越大，Req越小，驱动能力越大，但同时反相器的输入电容也会增大，延时增大，那么我们采用的方案是设计一个逐级增大的反相器链。如果考虑NMOS和PMOS同时导通的时间，那么需要加上一个直流通路引起的功耗，它和tsc（同时导通的时间）、VDD、Ipeak（直流通路电流大小）、f（开关频率）都成正比。
48V-110V转5V12VDC降压芯片
weixin_48665390的博客
09-23 4001
48V-110V转5V12VDC降压芯片 关于开关电源芯片，要设计一个输入电压直流Dc48V到110V。 输出 ：电压直流dc 5V、12V、15V、24V的开关电源，只要用一个我们公司的AH862的开关电源就可以做到，芯片输入电压范围48V/60V/72V/80V/90V/110V/120V，是种成本最低的电源电路，输出功率为15W，可以输出不同的电压3V-36V，且有较好的电压调整率，较大的宽电压输入范围15V-200V,工作电流1A-3A,因此可大大提高电源的转换效率应用较为广泛如电动自行车控制器 ◆
场效应管（MOS管）知识点总结
wei_Embedded_z的博客
03-31 7298
美系：英飞凌(Infineon)、IR((International Rectifier)，威世，ST，AOS，安森美，仙童，TI ，PI等；日系：东芝，瑞萨，ROHM罗姆等；韩系：美格纳，KEC，AUK，森名浩，信安，KIA；国产台系：ANPEC，CET，友顺UTC；国产：吉林华微电子股份有限公司，扬州扬杰电子科技股份有限公司；
电路设计相关
知识，既贵，又便宜。
08-08 9383
常见的电路设计知识和电器元器件选型
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管
荷兰风车
04-20 7042
MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子，负载常用MOS管作为有源负载，这样不仅节省了硅片面积，而且简化了工艺利于大规模集成。常用
功率器件为什么同样的耐压PMOS普遍高于NMOS
12-28
### 功率器件中PMOS和NMOS耐压差异的原因 在功率应用中，NMOS 和 PMOS 的耐压能力存在显著差异，这主要源于两者结构上的不同以及工作原理的不同。 #### 结构特性影响 NMOS 器件采用 N 型沟道和 P 型衬底，而 PMOS 则相反，具有 P 型沟道和 N 型衬底。这种不同的掺杂方式决定了每种晶体管能够承受的最大电压水平。对于给定的工艺技术节点而言，通常情况下 NMOS 比 PMOS 更容易实现更高的击穿电压[^1]。 #### 寄生电容的影响 当考虑高电压操作时，寄生参数变得非常重要。特别是体二极管的存在会影响最大可施加电压。由于 NMOS 中源漏之间的寄生二极管正向偏置方向是从低电位指向高电位，而在 PMOS 中则是从高电位指向低电位，在某些条件下可能会导致 PMOS 较早进入雪崩击穿状态，从而降低了其相对于 NMOS 的耐压性能[^2]。 #### 工艺制造难度 从制造角度来看，为了提高 PMOS 的阻断能力，往往需要更复杂的离子注入过程来调整阈值电压并优化漂移区电阻率分布，这些额外步骤增加了成本和技术复杂度。相比之下，通过适当的设计改进，可以在不增加太多制程负担的情况下提升 NMOS 的耐受电压范围[^3]。 综上所述，正是由于上述因素共同作用的结果使得在同一技术水平下，一般认为 NMOS 在处理更高电压方面表现得更好一些。 ```python # 示例代码用于说明如何计算MOSFET的击穿电压（仅作示意） def calculate_breakdown_voltage(drain_to_source_distance, doping_concentration): """ 计算理想化模型下的MOSFET击穿电压 参数: drain_to_source_distance (float): 源漏间距(m) doping_concentration (int): 掺杂浓度(cm^-3) 返回: float: 击穿电压(V) """ # 这里只是一个简化公式，实际物理现象更为复杂 breakdown_voltage = 0.5 * math.sqrt(doping_concentration / 1e6) * drain_to_source_distance ** 2 return round(breakdown_voltage, 2) print(f"假设条件下的NMOS击穿电压约为 {calculate_breakdown_voltage(1e-4, int(1e17))} V") ```
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