目前制备二维材料纳米片的方法大致可分为两类:“自下而上”法和“自上而下”法。前者包括化学气相沉积法和外延生长法等,它们都可以制备高质量的二维纳米材料,但同时对二维材料的生长环境要求极高(高温高压)并且所得到的纳米片尺寸受基板尺寸限制,另外从基板上进行转移时也会对纳米片的质量和性能带来严重损失。因此“自上而下”法,也就是剥离法,也成为了氮化硼纳米片的主力合成方法之一。
自上而下”法包括微机械剥离法和液相剥离法等。具体如下:
1.机械剥离法:机械剥离法是最早成功制备单层二维材料的方法,同时它也是最早的用于石墨烯剥离的方法。Pacile等人首先制备出单层的BN纳米片,他们把层状的氮化硼粘在SiO2衬底上,然后逐渐剥离至几个原子层厚度的碎片。该方法不如剥离石墨烯效果好,因为硼氮键有离子键特性,使得天然氮化硼层间的范德华力要比石墨大些。
球磨法剥离六方氮化硼
传统球磨法在制备氮化硼纳米片领域很有前景,Li等人报道了一种温和的