氮化物 聚多巴胺修饰六方氮化硼|铁颗粒周期性填充的竹节状氮化硼纳米管|纳米氮化硼（BN）包覆的Al2O3复合粉|铜纳米线填充氮化硼纳米管

氮化硼是由氮原子和硼原子所构成的晶体。化学组成为43.6%的硼和56.4%的氮，具有四种不同的变体：六方氮化硼（HBN)、菱方氮化硼（RBN）、立方氮化硼(CBN)和纤锌矿氮化硼(WBN)。

氮化硼具有抗化学侵蚀性质，不被无机酸和水侵蚀。在热浓碱中硼氮键被断开。1200℃以上开始在空气中氧化。熔点为3000℃，稍低于3000℃时开始升华。真空时约2700℃开始分解。微溶于热酸，不溶于冷水，相对密度2.25。压缩强度为170MPa。在氧化气氛下最高使用温度为900℃，而在非活性还原气氛下可达2800℃，但在常温下润滑性能较差。碳化硼的大部分性能比碳素材料更优。对于六方氮化硼：摩擦系数很低、高温稳定性很好、耐热震性很好、强度很高、导热系数很高、膨胀系数较低、电阻率很大、耐腐蚀、可透微波或透红外线。

虽然氮化硼（BN）目前受到广泛关注，并且其物理、化学性质独特，但是BN的应用范围受到较大限制，因为该材料合成过程有较大难度，并且材料的品质难以保证。有鉴于此，韩国科学技术院(KAIST) Eugene N. Cho、Yeon Sik Jung等报道了一种合成BN的方法，具体通过脱溶剂诱导的粘附转换DIAS（desolvation‐induced adhesion switching）过程，通过转印过程合成了高质量BN薄膜材料。作者发现，通过对BN薄膜材料的边缘功能化，同时选择性的对薄膜界面能、溶剂化/脱溶剂化进行系统性的控制，对BN-BN、BN-膜、BN-基底之间的相互作用实现了较好的调控。

（1）DIAS方法：通过尿素辅助球磨方法，BN材料边缘修饰羟基官能团，并剥离得到BN纳米片。将球磨后的BN纳米片用水进行清洗、透析和超声处理，随后真空抽滤后得到BN薄膜材料。并且这种真空抽滤BN薄膜材料能够轻松的转移到刻蚀的Si晶圆、PET膜、玻璃、树叶、金薄膜上。

通过这种DIAS方法，实现了接近100 %将BN薄膜转移到多种基底上，甚至包括不规则表面的材料基底上。得到的BN薄膜展现了非常高的透光性（＞90 %），极高的热稳定性（＞167 W m-1 K-1），达到数微米厚的高密度且堆叠完好的薄膜。

（2）得到的BN材料具有杰出的散热性能，显著的光学增强效果，并且在发光、荧光、光伏器件等领域中的下一代光电器件中将起显著和重要的作用。

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