计算能带自动产生k_深入分析能带结构(十二)跃迁偶极矩计算

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01 跃迁偶极矩

        跃迁电偶极矩(跃迁偶极矩，transition dipole moment，TDM)计算是激发态计算的一项重要内容，VASPKIT v1.00之后的版本实现了直接提取分析WAVECAR中的平面波展开系数，得到跃迁偶极矩的功能。

        从材料的能带结构可以直接拿到带隙，VBM，CBM等信息，但是并不是说有合适带隙的材料就有好的光吸收系数。电子在基态和激发态之间的跃迁是否是对称性允许的，也是关键因素。在某个特定的K点，假设基态电子波函数为|i>，末态为|j>，则两个态之间的跃迁电偶极矩为。r 是坐标矢量，负号是因为电子带负电荷。有了跃迁偶极矩，可以进一步对其平方计算振子强度和荧光寿命等信息。 

ψa和ψb 是两个本征态，他们的能量分别为Ea和Eb，m是电子质量。Ca和Cb是平面波基组的展开系数，G是倒易空间矢量。

02 实例分析(双钙钛矿的跃迁偶极矩)

        比如Cs2AgInCl6 这种双钙钛矿材料。虽然展现出较独特的白光发光特性，但其价带顶和导带底具有相同的宇称，存在跃迁禁阻；同时其中的电子和空穴的波函数分布差异极大，导致重叠面积小，降低辐射复合概率；两个因素导致其荧光产率极低(<0.1%)，不具备应用价值。 通过替换掺杂，可以破坏该材料在直接带隙位置的对称性禁阻(parity-forbidden transition)，从而大大提高其光吸收效率。例如，下述两篇文章都用到该思路&#