禁带宽度与半导体器件

1.禁带宽度

禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev))，即根据带隙的定义：导带的最低点和价带的最高点能量之差，如图1所示，带隙（禁带宽度）越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也越低。

图1 禁带宽度示意图

2. 半导体器件

半导体历经三代发展，如图2所示，具体代表、优缺点、应用领域如下：

第一代元素半导体，主要包括以硅（Si）、锗（Ge）为代表的单质半导体，其中锗最先被研究且应用，但由于其造价较高，稳定性较差，主要应用于部分发光二极管、太阳能电池中。硅基材料是目前主流逻辑芯片和功率器件的基础，以硅基半导体材料开创了功率半导体元器件MOSFET和IGBT等为代表的固态电子时代，也是目前电力电子领域应用最为广泛的半导体材料。

第二代化合物半导体，主要指二元/三元化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），其主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件，应用领域主要包括卫星通信、移动通信、光通信、GPS导航等。

第三代宽禁带半导体，主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等，优点是禁带宽度大（>2.2ev）、击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强、发光效率高、频率高，可用于于高温、高频、抗辐射及大功率器件，也是目前国家大力发展的新型半导体器件。

图2 半导体发展史

 图3分别从电场强度（Electric Field）、能隙（Energy gap）、电子迁移率（Electron Velocity）、热导率（Thermal Conductivity）和熔点（Melting point）5个方面对比了三种半导体材料的属性，体现了SiC和GaN器件的优势。

图3 三种半导体器件性能对比

以上5个指标也很好理解，其中能隙也被称为带隙、禁带宽度，能隙和电场强度越高器件越不容易被击穿，耐压可以更高；热导率和熔点越高，器件越容易散热，也更容易耐高温；电子迁移率越高，器件的开关速度也就越快，因此可以做高频器件。