影响计算机关键性能参数测试研究,压电陶瓷性能参数综合测试系统研究

该文探讨了压电陶瓷性能参数测试技术,强调了测试参数的重要性,并介绍了动态谐振法作为主流测试方法。文章详细阐述了测试原理、方法,结合计算机自动测量技术,研制了压电陶瓷性能参数综合测试系统,实现谐振频率、反谐振频率、动态电阻和电容等参数的自动测试。系统采用π型电阻网络零相位法提高精度,并通过与标准设备的对比实验验证了系统的有效性。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

摘要:

压电陶瓷材料的参数不仅与其组分有关,而且与制造工艺有关,化学组分的不均匀性、成型过程中机械力的差异、烧结过程中物理和化学的偏差以及极化效果不同等因素都会影响其性能参数。压电陶瓷主要性能参数的确定,对其理论研究和实际应用都有十分重要的意义。随着压电陶瓷材料和器件的日益广泛的应用,压电陶瓷性能参数的测量方法也就显示出了其重要的地位。最早出现的测量压电材料性能的方法是静态法或准静态法,由于在试样上施加静态的应力或电场,难以控制电学边界条件,所以这种方法现在已经基本不用了,而更多的使用动态谐振法来测量。 本文以压电陶瓷材料性能参数测试技术为研究内容,从压电陶瓷材料的测试规范出发,比较详细的论述了压电陶瓷材料参数的测试原理及测试方法,并结合当今的计算机自动测量技术,对压电陶瓷材料的测试方法进行了较深入的研究,根据虚拟仪器的发展趋势,研制了压电陶瓷性能参数综合测试系统。实现了计算机对测试电路的自动控制和对所需数据的采集与处理,能同时测试压电陶瓷谐振频率与反谐振频率、动态电阻、动态电容等参数。 测试系统由信号源、相位比较模块、接口电路和软件四大部分组成。在结构设计中,分模块论述了设计方案。讨论了计算机的并行口的性能特点,及对整个系统进行控制的方案。系统中应用了π型电阻网络零相位法进行测量,提高了测量精度和抗干扰能力。 虚拟仪器的关键是软件。本文以模块化的方法分别介绍了软件的界面模块、信号源控制模块、数据采集与处理模块,同时对数据处理和参数的计算做了探讨。论述了模块化程序的可移植性、重用性及可扩展性。 最后对系统进行了校准,并用HP4192阻抗分析仪对同一样品进行了对比实验。

展开

汉字字库存储芯片扩展实验 # 汉字字库存储芯片扩展实验 ## 实验目的 1. 了解汉字字库的存储原理和结构 2. 掌握存储芯片扩展技术 3. 学习如何通过硬件扩展实现大容量汉字字库存储 ## 实验原理 ### 汉字字库存储基础 - 汉字通常采用点阵方式存储(如16×16、24×24、32×32点阵) - 每个汉字需要占用32字节(16×16)到128字节(32×32)不等的存储空间 - 国标GB2312-80包含6763个汉字,需要较大存储容量 ### 存储芯片扩展方法 1. **位扩展**:增加数据总线宽度 2. **字扩展**:增加存储单元数量 3. **混合扩展**:同时进行位扩展和字扩展 ## 实验设备 - 单片机开发板(如STC89C52) - 存储芯片(如27C256、29C040等) - 逻辑门电路芯片(如74HC138、74HC373等) - 示波器、万用表等测试设备 - 连接线若干 ## 实验步骤 ### 1. 单芯片汉字存储实验 1. 连接27C256 EPROM芯片到单片机系统 2. 将16×16点阵汉字字库写入芯片 3. 编写程序读取并显示汉字 ### 2. 存储芯片字扩展实验 1. 使用地址译码器(如74HC138)扩展多片27C256 2. 将完整GB2312字库分布到各芯片中 3. 编写程序实现跨芯片汉字读取 ### 3. 存储芯片位扩展实验 1. 连接两片27C256实现16位数据总线扩展 2. 优化字库存储结构,提高读取速度 3. 测试并比较扩展前后的性能差异 ## 实验代码示例(单片机部分) ```c #include <reg52.h> #include <intrins.h> // 定义存储芯片控制引脚 sbit CE = P2^7; // 片选 sbit OE = P2^6; // 输出使能 sbit
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值