本文介绍了DDR内存中用于降低功耗的三种关键技术：PASR（Partial Array Self-Refresh）、TCSR（Temperature Compensated Self-Refresh）和DPD（Deep Power Down）。PASR通过关闭不活跃的bank来节省功耗；TCSR根据温度调整自刷新频率，以适应不同温度下的功耗需求；DPD则在长时间未访问设备时进入深度低功耗模式，进一步减少能耗。PASR在移动内存中已广泛应用。
随着智能机的发展，DDR内存容量越来越大，bank数量越来越多，功耗也越来越大。在不需要的时候关闭部分bank，或者降低自刷新频率，或者进入深度低功耗模式。有三种DDR技术用来降低功耗：
PASR(Partial Array Self-Refresh)，根据内存使用情况，调整内存位置，尽量空闲更多bank，选择关闭，以达到节省功耗的目的。
TCSR(Temperature Compensated Self-Refresh)，在不同的温度下，DDR需要不同的刷新率。根据温度调整自刷新频率以达到节省功耗的目的。
DPD(Deep Power Down)，最大限度的关闭不需要使用的模块，进入低功耗模式。
目前PASR方案，已经得到广泛应用。
下面针对三种这三种技术，摘录如下：
PASR (Partial Array Self-Refresh)
Each DRAM memory cell consists of one MOS transistor and one capacitor to store bit using an external electronic charge. Because electrical current will leak from the capacitor over time, capacitors must be refreshed periodically to maintain data integrity.
The self-refresh operation, which deactivates the clock to reduce device power consu
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