相变内存技术将何去何从？

用于存储的闪存型内存是老旧硬盘驱动器的一个巨大改进，但即使闪存型内存的访问时间是微秒级的，与动态RAM相比，它的速度依然不足。

闪存中可寻址的块是有限的，将最小传输增加到4KB需要使用操作系统文件堆栈，因此会增加大量的CPU开销。 这个不足使得有人在寻求一种替代固态存储的产品，目前已经出现了几种相关的技术，其中包括相变内存技术。

相变内存（PCM）看起来可能是对固态存储最可行的替代方案。相变内存通过将单元（cell）的电导率从低变为高（相变）来运行。这可以通过施加电压改变单元状态来实现。这种变化非常快，在十纳秒的范围内。

由于相变内存的速度非常接近动态RAM（DRAM），因此它对于NVDIMM和NVM Express（NVMe）SSD都是理想的解决方案。 英特尔和美光都宣布推出3D XPoint版本，这是一款以PCM为基础的产品。虽然目前出现了一些延迟和性能问题，但它看起来还是要比第一代的闪存快，或许在其后续版本中会快很多。

PCM是以字节寻址的，至少在NVDIMM版本中是这样，这样它将允许进行直接的小型传输。 与需要读写完整的数据块相比，PCM可以只写入和读取一个字（word），这样它就可以直接从注册到内存操作的CPU指令进行读写，这是非常快的。

除了速度优势，相变内存技术还比闪存更加耐用，因此日常写入的数量不会是问题。 有一些关于特征尺寸和裸片容量的讨论，结论也是比闪存更好。然而，相变内存在细节上还有一些问题。此外，第一个相变内存产品的总容量将落后于3D NAND驱动器。

可能的原因是，英特尔和美光计划在DRAM和闪存之间对相变内存进行定价，这种方式并没有得到认可，至少在前几年内他们为此付出了代价。 此外，相变记忆技术还有其他障碍要克服。

3D NAND正在快速发展，所以我们可以期待它的成本会大幅降低，这将对新的PCM产品造成压力。 同时，3D模式下每个模块的容量也在迅速扩大，在2018路线图上包含了100 TB的2.5英寸硬盘产品。

尽管英特尔使用NVMe网络为集群中的所有3D XPoint内存设置了具有字节可寻址性的集群模型，但任何3D XPoint产品都需要字节寻址才能在这些条件下具有竞争力。

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