《CMOS集成电路后端设计与实战》——1.3 国际集成电路发展趋势

本节书摘来自华章出版社《CMOS集成电路后端设计与实战》一 书中的第1章，第1.3节，作者：刘峰，更多章节内容可以访问云栖社区“华章计算机”公众号查看。

1.3　国际集成电路发展趋势

根据国际半导体技术发展路线图（ITRS），国际集成电路技术大致有3个主要趋势：
1）延续摩尔定律，继续按比例缩小，英特尔CMOS技术工业节点2013年引入14nm，目前已达10nm工业节点，未来正在部署7nm，台积电最高端的CMOS技术工艺节点已达到14nm，预计2015年将到达10nm。
2）功能集成，称为拓展摩尔定律，即在单个芯片／封装／模块上更多地集成包括RF、功率控制、无源元件等功能单元。
3）发展新兴材料和器件，预计到2019年，可研究出超过CMOS器件性能的新器件，可继续提高CMOS工艺的能力。