MOS管应用之放反接电路

一、典型电路

1、电路1

说明:

GND-IN  为电源接口的负极

GND    为内部电路的公共地

原理分析

正向接:

  VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管,最后回到GND-IN;然后GS电压升高,紧接着SD沟道形成;沟道电阻很小,将MOS体二极管短路。

反向接:MOS体二极管截至

2、电路2

说明:

GND-A-24V  为电源接口的负极

GND-A       为内部电路的公共地

原理分析

正向接:

  VCC-IN通过R1、R2 ,最后回到GND-IN;然后GS电压升高,紧接着SD沟道形成,GND-A-24V便接在了GND-A上。

反向接:

虽然 MOS体二极管这时正向接,但是由于GND-A上端接的是我们的电路,电路的上端是VCC-A-24V-IN,所以还是无法通过;事实上GND-A-24V根本接不进我们的电路以形成回路。

二、优缺点

1、优点

  由于正向接导通时,MOS管Ron很小,压降非常小,基本保证了GND和GND-IN等电位。

  而串联二极管会有一定的压降。

2、缺点

  电路复杂,价格也高。

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