U盘中SLC、MLC和TLC三者闪存类型的优缺点及区别

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SLC = Single-Level Cell，即 1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约 MLC 3 倍以上的价格），约 10 万次擦写寿命。

MLC = Multi-Level Cell，即 2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约 3000 - 10000 次擦写寿命。

TLC = Trinary-Level Cell，即 3bit/cell，也有 Flash 厂家叫 8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约 500 次擦写寿命，目前还没有厂家能做到 1000 次。

SLC、MLC、TLC X3(3-bit-per-cell) 架构的 TLC 芯片技术是 MLC 和 TLC 技术的延伸，最早期 NAND Flash 技术架构是 SLC(Single-Level Cell)，原理是在 1 个存储器储存单元(cell)中存放 1 位元(bit)的资料，直到 MLC(Multi-Level Cell) 技术接棒后，架构演进为 1 个存储器储存单元存放 2 位元。

2009 年 TLC 架构正式问世，代表 1 个存储器储存单元可存放 3 位元，成本进一步大幅降低。如同上一波 SLC 技术转 MLC 技术趋势般，这次也是由 NAND Flash 大厂东芝 (Toshiba) 引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics) 也赶紧加入战局，使得整个 TLC 技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC 芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的 NAND Flash 相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡 microSD 或随身碟等。像是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD) 等技术门槛高，对于 NAND Flash 效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用 SLC 或 MLC 芯片。

2010 年 NAND Flash 市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用 SLC 或 MLC 芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而 TLC 芯片却是持续 供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构 iSuppli 在统计 2010 年第 2 季全球 NAND Flash 产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从 2010 年第 1 季 43 亿美元下降至 41 亿美元，减少 6.5%。

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