一、继电器工作原理

   继电器是一种电子控制器件，它具有控制系统，又称输入回路，具有被控制系统，又称输出回路。

    继电器通常应用于自动控制电路中，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。

    继电器的输入信号 x 从零连续增加达到衔铁开始吸合时的动作值 xx，继电器的输出信号立刻从 y＝0 跳跃 y＝ym，即常开触点从断到通。一旦触点闭合，输入量 x 继续增大，输出信号 y 将不再起变化。当输入量 x 从某一大于 xx 值下降到 xf，继电器开始释放，常开触点断开。我们把继电器的这种特性叫做继电特性，也叫继电器的输入 － 输出特性。

继电器（relay）的工作原理和特性

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1 电磁继电器的工作原理

    电磁式继电器一般由铁芯、线圈、衔铁、触点簧片等组成的。只要在线圈两端加上一定的电压，线圈中就会流过一定的电流，从而产生电磁效应，衔铁就会在电磁力吸引的作用下克服返回弹簧的拉力吸向铁芯，从而带动衔铁的动触点与静触点（常开触点）吸合。当线圈断电后，电磁的吸力也随之消失，衔铁就会在弹簧的反作用力返回原来的位置，使动触点与原来的静触点（常闭触点）释放。这样吸合、释放，从而达到了在电路中的导通、切断的目的。

    对于继电器的“常开、常闭”触点，可以这样来区分：继电器线圈未通电时处于断开状态的静触点，称为“常开触点”；处于接通状态的静触点称为“常闭触点”。

2 电路原理

    继电器是一种当输入量变化到某一定值时，其触头（或电路）即接通 或分断交直流小容量控制回路。

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由永久磁铁保持释放状态，加上工作电压后，电磁感应使衔铁与永久磁铁产生吸引和排斥力矩，产生向下的运动，最后达到吸合状态。

3 晶体管驱动驱动电路

 

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    当晶体管用来驱动继电器时，推荐用 NPN 三极管。具体电路如下：

    当输入高电平时，晶体管 T1 饱和导通，继电器线圈通电，触点吸合。

    当输入低电平时，晶体管 T1 截止，继电器线圈断电，触点断开。

    电路中各元器件的作用：晶体管 T1 为控制开关；电阻 R1 主要起限流作用，降低晶体管 T1 功耗；电阻 R2 使晶体管 T1 可靠截止；二极管 D1 反向续流，为三极管由导通转向关断时为继电器线圈中的提供泄放通路，并将其电压箝位在＋12V 上。

4 集成电路驱动电路

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目前已使用多个驱动晶体管集成的集成电路，使用这种集成电路能简化驱动多个继电器的印制板的设计过程。现在我司所用驱动继电器的集成电路主要有 TD62003AP。

    当 2003 输入端为高电平时，对应的输出口输出低电平，继电器线圈两端通电，继电器触点吸合；

    当 2003 输入端为低电平时，对应的输出口呈高阻态，继电器线圈两端断电，继电器触点断开。

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 继电器串联 RC 电路：

    这种形式主要应用于继电器的额定工作电压低于电源电压的电路中。当电路闭合时，继电器线圈由于自感现象会产生电动势阻碍线圈中电流的增大，从而延长了吸合时间，串联上 RC 电路后则可以缩短吸合时间。原理是电路闭合的瞬间，电容 C 两端电压不能突变可视为短路，这样就将比继电器线圈额定工作电压高的电源电压加到线圈上， 从而加快了线圈中电流增大的速度，使继电器迅速吸合。电源稳定之后电容 C 不起作用，电阻 R 起限流作用。

继电器额定工作电压的选择

    继电器额定工作电压是继电器最主要的一项技术参数。在使用继电器时，应该首先考虑所在电路（即继电器线圈所在的电路）的工作电压，继电器的额定工作电压应等于所在电路的工作电压。

    一般所在电路的工作电压是继电器额定工作电压的 0.86。注意所在电路的工件电压千万不能超过继电器额定工作电压，否则继电器线圈容易烧毁。另外，有些集成电路，例如 NE555 电路是可以直接驱动继电器工作的，而有些集成电路，例如 COMS 电路输出电流小，需要加一级晶体管放大电路方可驱动继电器，这就应考虑晶体管输出电流应大于继电器的额定工作电流。

1 晶体管驱动电路

    当晶体管用来驱动继电器时，必须将晶体管的发射极接地，具体电路如下：

2 原理简介

    NPN 晶体管驱动时：当晶体管 T1 基极被输入高电平时，晶体管饱和导通，集电极变为低电平，因此继电器线圈通电，触点 RL1 吸合。当晶体管 T1 基极被输入低电平时，晶体管截止，继电器线圈断电，触点 RL1 断开。

    小结：本文介绍了继电器的工作原理以及继电器的驱动电路，驱动电路的设计要根据所用继电器线圈的吸合电压和电流而定，一定要大于继电器的吸合电流才能使继电器可靠地工作。

二、交流直流电源之间如何进行变换，变压器、整流器、逆变器、DC-DC变换器的区别

电源有交流电和直流电之分，在很多情况下，需要在这些电源之间进行变换。

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交流变交流，用的是变压器

    变压器是根据电磁感应原理制成的一种变换交流电压的设备。变压器一般有初级和次级两个互相独立绕组，这两个绕组共用一个铁芯.变压器初级绕组接通交流电源，在绕组内流过交变电流产生磁势，于是在闭合铁芯中就有交变磁通。初、次级绕组切割磁力线，在次级就能感应出相同频率的交流电。变压器既可以降压，也可以升压，甚至用来隔离而不改变电压值。

 

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交流变直流，用的是整流器

    常见的是整流二极管和晶闸管。几乎所有的家用电器和电脑中都有整流器，安装在电器的电源中。如下图所示是桥式整流电路的原理示意图，将交流电转换成直流电。

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直流变交流，用的是逆变器

    逆变一般通过MOS管来实现，从原理上可以分为半桥逆变电路和全桥逆变电路。下面以全桥逆变为例，介绍逆变的过程。

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   全桥逆变主要由四个MOS管构成，有两个桥臂，在工作时每个桥臂不能同时导通，对边桥臂导通。

    在MOS管的栅极，由控制板所输出的PWM信号来控制，通过改变方波的占空比可以实现正弦波幅度的控制，这里在程序上涉及到比较复杂的矢量控制/磁场导向控制FOC。原理如下动态图所示。

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直流变直流，用的是DC-DC变换器

    常用在仪器仪表中，
DC-DC转换器就是重复通断开关，把直流电压或电流转换成高频方波电压或电流，再经整流平滑变为直流电压输出。

三、STM32的Flash写了保护怎么办

关于STM32对内部Flash的保护 

    为了防止对Flash的非法访问，所有STM32的芯片都提供对Flash的保护，具体分为写保护和读保护。

    如果对Flash设置了写保护，那就无法对Flash进行编程和擦除。在开发STM32的时候，如果出现这种情况，通常仿真器都支持对Flash进行解锁，像jlink，stlink等仿真器都支持这个功能。

    在使用MDK进行调试的时候，可能会遇到如下图所示的报错信息，这时候就要排查Flash是不是被保护起来了。 

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   读保护即大家通常说的“加密”，是作用于整个Flash存储区域。一旦设置了Flash的读保护，内置的Flash存储区只能通过程序的正常执行才能读出，而不能通过下述任何一种方式读出：

  • 通过调试器(JTAG或SWD)
  • 从RAM中启动并执行的程序

    写保护是以四页(1KB/页) Flash存储区为单位提供写保护，对被保护的页实施编程或擦除操作将不被执行，同时产生操作错误标志，读与写设置的效果见下表： 

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  当Flash读保护生效时，CPU执行程序可以读受保护的Flash区，但存在两个例外情况： 

  • 调试执行程序时
  • 从RAM启动并执行程序时 

    STM32还提供了一个特别的保护，即对Flash存储区施加读保护后，即使没有启用写保护，Flash的第 0 ～ 3 页也将处于写保护状态，这是为了防止修改复位或中断向量而跳转到RAM区执行非法程序代码。 

Flash保护的相关函数   

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 读保护设置后将不能读出Flash中的内容。

如何设置读保护

    在程序的开头加入“设置读保护”的代码即可，每次运行代码时都检查一下，如果没有开就打开，如果打开了就跳过。其中，设置读保护的代码如下：

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上面的代码执行后，使用j-link就不能读出程序了，实现了代码读保护。需要注意的是，芯片读保护后无法再次烧写新的程序到Flash中，必须要解除读保护才可以。但是当解除读保护的时候STM32会自动擦除整个Flash，起到保护数据的作用。

通过代码解除Flash保护

    解除读保护可以设置在按键里面，方便实现解锁，也可以设置在命令中。如下是解除读保护代码：

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    程序中设置一个按键或者命令，可以随时解除Flash的读保护，让芯片又可以重新烧录程序。如果没有留，还可以专门写一个程序，下载到RAM中去运行，用来解除读保护。

    注意：执行后，Flash会自动全部擦除。

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通过ST-Link Utility来解除Flash保护

    在STLink连接目标板的情况下打开程序烧写软件ST-Link Utility，在菜单栏的Target下选择connect，因为这时候Flash已经被锁住了，能看到如下图所示的错误提示。

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   下面来操作如何解除Flash保护。

    请确保当前已经正确连接了STLink和目标板，在菜单栏Target里打开Option Bytes...选项，发现在这里Read Out Protection选项是Enable，这个表示无法通过SWD读取STM32内部Flash的程序。

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    将Read Out Protection选项设置为Disable，并点击Apply。

    这时候Flash已经成功解锁了，跟上文提到的解除Flash保护的结果一样，内部Flash已经被擦除了，如下图红框中所示。

 

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 完成以上步骤之后，在菜单栏Target下选择Disconnect断开与目标板连接。

    重新进入MDK，可以正常对目标板烧写程序了。

通过ST-Link Utility来设置Flash保护

    在菜单栏Target里打开Option Bytes...选项，可以看到下面有Flash sector protection选项。选择Select all之后，发现所有Page的Protection项都已经变成Write Protection了，只要选择Apply选项就可以对Flash进行写保护，如下图所示。

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四、开关电源缓冲吸收电路

   基本拓扑电路上一般没有吸收缓冲电路，实际电路上一般有吸收缓冲电路，吸收与缓冲是工程需要，不是拓扑需要。

    吸收与缓冲的功效：

  • 防止器件损坏，吸收防止电压击穿，缓冲防止电流击穿
  • 使功率器件远离危险工作区，从而提高可靠性
  • 降低（开关）器件损耗，或者实现某种程度的关软开
  • 降低di/dt和dv/dt，降低振铃，改善EMI品质
  • 提高效率（提高效率是可能的，但弄不好也可能降低效率）

    也就是说，防止器件损坏只是吸收与缓冲的功效之一，其他功效也是很有价值的。

吸收

    吸收是对电压尖峰而言。

    电压尖峰的成因：

  • 电压尖峰是电感续流引起的。
  • 引起电压尖峰的电感可能是：变压器漏感、线路分布电感、器件等效模型中的感性成分等。
  • 引起电压尖峰的电流可能是：拓扑电流、二极管反向恢复电流、不恰当的谐振电流等。

    减少电压尖峰的主要措施是：

  • 减少可能引起电压尖峰的电感，比如漏感、布线电感等
  • 减少可能引起电压尖峰的电流，比如二极管反向恢复电流等
  • 如果可能的话，将上述电感能量转移到别处。
  • 采取上述措施后电压尖峰仍然不能接受，最后才考虑吸收。吸收是不得已的技术措施

拓扑吸

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 将开关管Q1、拓扑续流二极管D1和一个无损的拓扑电容C2组成一个在布线上尽可能简短的吸收回路。

    拓扑吸收的特点：

  • 同时将Q1、D1的电压尖峰、振铃减少到最低程度。
  • 拓扑吸收是无损吸收，效率较高。
  • 吸收电容C2可以在大范围内取值。
  • 拓扑吸收是硬开关，因为拓扑是硬开关。

体二极管反向恢复吸收

    开关器件的体二极管的反向恢复特性，在关断电压的上升沿发挥作用，有降低电压尖峰的吸收效应。

RC 吸收

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  • RC吸收的本质是阻尼吸收。
  • 有人认为R 是限流作用，C是吸收。实际情况刚好相反。
  • 电阻R 的最重要作用是产生阻尼，吸收电压尖峰的谐振能量，是功率器件。
  • 电容C的作用也并不是电压吸收，而是为R阻尼提供能量通道。
  • RC吸收并联于谐振回路上，C提供谐振能量通道，C 的大小决定吸收程度，最终目的是使R形成功率吸收。
  • 对应一个特定的吸收环境和一个特定大小的电容C，有一个最合适大小的电阻R，形成最大的阻尼、获得最低的电压尖峰。
  • RC吸收是无方向吸收，因此RC吸收既可以用于单向电路的吸收，也可用于双向或者对称电路的吸收。

RC 吸收设计

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  • RC吸收的设计方法的难点在于：吸收与太多因素有关，比如漏感、绕组结构、分布电感电容、器件等效电感电容、电流、电压、功率等级、di/dt、dv/dt、频率、二极管反向恢复特性等等。而且其中某些因素是很难获得准确的设计参数的。
  • 比如对二极管反压的吸收，即使其他情况完全相同，使用不同的二极管型号需要的RC吸收参数就可能有很大差距。很难推导出一个通用的计算公式出来。
  • R 的损耗功率可大致按下式估算：
  • Ps = FCU2
  • 其中U为吸收回路拓扑反射电压。
  • 工程上一般应该在通过计算或者仿真获得初步参数后，还必须根据实际布线在板调试，才能获得最终设计参数。

RCD 吸收

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特点

  • RCD吸收不是阻尼吸收，而是靠非线性开关D 直接破坏形成电压尖峰的谐振条件，把电压尖峰控制在任何需要的水平。
  • C 的大小决定吸收效果（电压尖峰），同时决定了吸收功率（即R的热功率）。
  • R 的作用只是把吸收能量以热的形式消耗掉。其电阻的最小值应该满足开关管的电流限制，最大值应该满足PWM逆程RC放电周期需要，在此范围内取值对吸收效果影响甚微。
  • RCD吸收会在被保护的开关器件上实现某种程度的软关断，这是因为关断瞬间开关器件上的电压即吸收电容C上的电压等于0，关断动作会在C 上形成一个充电过程，延缓电压恢复，降低dv/dt，实现软关断。

不适应性

  • RCD吸收一般不适合反激拓扑的吸收，这是因为RCD吸收可能与反激拓扑相冲突。
  • RCD吸收一般不适合对二极管反压尖峰的吸收，因为RCD吸收动作有可能加剧二极管反向恢复电流。

RCD 钳位吸收

  • 尽管RCD钳位与RCD吸收电路可以完全相同，但元件参数和工况完全不同。RCD吸收RC时间常数远小于PWM周期，而RCD钳位的RC时间常数远大于PWM周期。
  • 与RCD吸收电容的全充全放工况不同，RCD钳位的电容可以看成是电压源，其RC充放电幅度的谷值应不小于拓扑反射电压，峰值即钳位电压。
  • 由于RCD钳位在PWM电压的上升沿和下降沿都不会动作，只在电压尖峰出现时动作，因此RCD钳位是高效率的吸收。

齐纳钳位吸收

  • 齐纳钳位的几种形式。
  • 齐纳钳位也是在电压尖峰才起作用，也是高效率吸收。
  • 某些场合，齐纳钳位需要考虑齐纳二极管的反向恢复特性对电路的影响。
  • 齐纳吸收需注意吸收功率匹配,必要时可用有源功率器件组成大功率等效电路

无损吸收

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无损吸收的条件

  • 吸收网络不得使用电阻。
  • 不得形成LD电流回路。
  • 吸收回路不得成为拓扑电流路径。
  • 吸收能量必须转移到输入侧或者输出侧。
  • 尽量减少吸收回路二极管反向恢复电流的影响。

    无损吸收是强力吸收，不仅能够吸收电压尖峰，甚至能够吸收拓扑反射电压，比如：

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缓冲

    缓冲是对冲击尖峰电流而言。

  • 引起电流尖峰第一种情况是二极管（包括体二极管）反向恢复电流。
  • 引起电流尖峰第二种情况是对电容的充放电电流。这些电容可能是：电路分布电容、变压器绕组等效分布电容、设计不恰当的吸收电容、设计不恰当的谐振电容、器件的等效模型中的电容成分等等。

    缓冲的基本方法：

    在冲击电流尖峰的路径上串入某种类型的电感，可以是以下类型：

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缓冲的特性：

  • 由于缓冲电感的串入会显著增加吸收的工作量，因此缓冲电路一般需要与吸收电路配合使用。
  • 缓冲电路延缓了导通电流冲击，可实现某种程度的软开通（ZIS)。
  • 变压器漏感也可以充当缓冲电感。

LD 缓冲

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特点：

  • 可不需要吸收电路配合。
  • 缓冲释能二极管与拓扑续流二极管电流应力相当甚至更大。
  • 缓冲释能二极管的损耗可以简单理解为开关管减少的损耗。
  • 适当的缓冲电感（L3）参数可以大幅度减少开关管损耗，实现高效率。

LR 缓冲

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 特点：

  • 需要吸收电路配合以转移电感剩余能量。
  • 缓冲释能电阻R的损耗较大，可简单理解为是从开关管转移出来的损耗。
  • R、L参数必须实现最佳配合，参数设计调试比较难以掌握。
  • 只要参数适当仍然能够实现高效率。

饱和电感缓冲

 

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  • 饱和电感的电气性能表现为对di/dt敏感。
  • 在一个冲击电流的上升沿，开始呈现较大的阻抗，随着电流的升高逐渐进入饱和，从而延缓和削弱了冲击电流尖峰，即实现软开通。
  • 在电流达到一定程度后，饱和电感因为饱和而呈现很低的阻抗，这有利于高效率地传输功率。
  • 在电流关断时，电感逐渐退出饱和状态，一方面，由于之前的饱和状态的饱和电感量非常小，即储能和需要的释能较小。另一方面，退出时电感量的恢复可以减缓电压的上升速度，有利于实现软关断。
  • 以Ls2为例，5u表示磁路截面积5mm2，大致相当于1颗PC40材质4*4*2的小磁芯。

饱和电感特性

  • 热特性

    饱和电感是功率器件，通过进入和退出饱和过程的磁滞损耗（而不是涡流损耗或者铜损）吸收电流尖峰能量，主要热功率来自于磁芯。

    这一方面要求磁芯应该是高频材料，另一方面要求磁芯温度在任何情况下不得超过居里温度。这意味着饱和电感的磁芯应该具有最有利的散热特性和结构，即：更高的居里温度、更高的导热系数、更大的散热面积、更短的热传导路径。

  • 饱和特性

    显然饱和电感一般不必考虑使用气隙或者不易饱和的低导磁率材料。

  • 初始电感等效特性

    在其他条件相同情况下，较低导磁率的磁芯配合较多匝数、与较高导磁率的磁芯配合较少匝数的饱和电感初始电感相当，缓冲效果大致相当。

    这意味着直接采用1 匝的穿心电感总是可能的，因为任何多匝的电感总可以找到更高导磁率的磁芯配合1 匝等效之。这还意味着磁芯最高导磁率受到限制，如果一个适合的磁芯配合1 匝的饱和电感，将没有使用更高导磁率的磁芯配合更少匝数的可能。

  • 磁芯体积等效特性

    在其他条件相同情况下，相同体积的磁芯的饱和电感缓冲效果大致相当。既然如此，磁芯可以按照最有利于散热的磁路进行设计。比如细长的管状磁芯比环状磁芯、多个小磁芯比集中一个大磁芯、穿心电感比多匝电感显然具有更大的散热表面积。

  • 组合特性

    有时候，单一材质的磁芯并不能达到工程上需要的缓冲效果，采用多种材质的磁芯相互配合或许才能能够满足工程需要。

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 无源无损缓冲吸收

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  • 如果缓冲电感本身是无损的（非饱和电感），而其电感储能又是经过无损吸收的方式处理的，即构成无源无损缓冲吸收电路，实际上这也是无源软开关电路。
  • 缓冲电感的存在延迟和削弱的开通冲击电流，实现了一定程度的软开通。
  • 无损吸收电路的存在延迟和降低了关断电压的dv/dt，实现了一定程度的软关断。
  • 实现无源软开关的条件与无损吸收大致相同。并不是所有拓扑都能够搭建出一个无源软开关电路。因此除了经典的电路外，很多无源软开关电路都是被专利的热门。
  • 无源无损软开关电路效率明显高于其他缓冲吸收方式，与有源软开关电路效率相差无几。因此只要能够实现无源软开关的电路，可不必采用有源软开关。

吸收缓冲电路性能对

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滤波缓

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  • 电路中的电解电容一般具有较大的ESR（典型值是百毫欧姆数量级），这引起两方面问题：一是滤波效果大打折扣；二是纹波电流在ESR上产生较大损耗，这不仅降低效率，而且由于电解电容发热直接导致的可靠性和寿命问题。
  • 一般方法是在电解电容上并联高频无损电容，而事实上，这一方法并不能使上述问题获得根本的改变，这是由于高频无损电容在开关电源常用频率范围内仍然存在较大的阻抗的缘故。
  • 提出的办法是：用电感将电解和CBB分开，CBB位于高频纹波电流侧，电解位于直流（工频）侧，各自承担对应的滤波任务。
  • 设计原则：Π形滤波网络的谐振频率Fn应该错开PWM频率Fp。可取Fp=（1.5～２）Fn 。
  • 这一设计思想可以延伸到直流母线滤波的双向缓冲，或者其他有较大滤波应力的电路结构。

振铃

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   振铃的危害：

  • MEI测试在振铃频率容易超标。
  • 振铃将引起振铃回路的损耗，造成器件发热和降低效率。
  • 振铃电压幅度超过临界值将引起振铃电流，破环电路正常工况，效率大幅度降低。

    振铃的成因：

  • 振铃多半是由结电容和某个等效电感的谐振产生的。对于一个特定频率的振铃，总可以找到原因。电容和电感可以确定一个频率，而频率可以观察获得。电容多半是某个器件的结电容，电感则可能是漏感。
  • 振铃最容易在无损（无电阻的）回路发生。比如：副边二极管结电容与副边漏感的谐振、杂散电感与器件结电容的谐振、吸收回路电感与器件结电容的谐振等等。

    振铃的抑制：

  • 磁珠吸收，只要磁珠在振铃频率表现为电阻，即可大幅度吸收振铃能量，但是不恰当的磁珠也可能增加振铃。
  • RC 吸收，其中C可与振铃（结）电容大致相当，R 按RC吸收原则选取。
  • 改变谐振频率，比如：只要将振铃频率降低到PWM频率相近，即可消除PWM上的振铃。
  • 特别地，输入输出滤波回路设计不当也可能产生谐振，也需要调整谐振频率或者其他措施予以规避。

吸收缓冲能量再利用

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  RCD吸收能量回收电路：

    只要将吸收电路的正程和逆程回路分开，形成相对0 电位的正负电流通道，就能够获得正负电压输出。其设计要点为：

    RCD吸收电路参数应主要满足主电路吸收需要，不建议采用增加吸收功率的方式增加直流输出功率。输出电流由L1、R1控制。逆程回路的阻抗同样应满足吸收回路逆程时间的需要，调整L1、R1的大小可控制输出功率大小，当R1减少到0 时，该电路达到最大可能输出电流和最大输出功率。

    输出电压基本上可由齐纳门槛电压任意设定，需注意齐纳二极管的功率匹配。