Power Gating的设计(概述)

Leakage power随着CMOS电路工艺进程，功耗越来越大。

 

Power Domain的开关一般通过硬件中的timer和系统层次的功耗管理软件来进行控制，需要在一下几方面做trade-off：

1)可能节省的leakage power，

2)entry和exit的power和time消耗，

3)Power sleep和active的频率，

 

power gating可以完全关掉dynamic的power消耗，但是leakage只会减少，不会消失，因为power gating技术仍需要加入一些isolate cell

和retention cell，带来leakage。

 

power gate对不同的sub-system的影响：

对于cache cpu system，Power gating可以很大程度的减少leakage，消除dynamic power，但是cache内容的复原，需要花费

很大的time和energy；

对于peripheral system，device的driver可能需要特殊的initial hardware sequence，使得软件的负担加重；

对于multi-processor CPU，每当一个core完成自己的task，都可以power gating，清除自己的cache，但是big-little的core调用

需要一定的算法支撑。

 

外部power gating，要求板级中有多个voltage regulator，带来相应的RC，增大了板级负担，而且，switch time花费的太多。

所以现在多使用internel power gating。

 

一个典型的Power Gate系统：

由于power gated block的输出由于电容的存在，电压丢失的比较慢，使得电压在Vt附近停留较长时间，可能出现狐电流(crowbar current)

所以需要加入isolate单元，同时支持两个voltage的操作，提高timing closure。

 

为了能够恢复到原来的状态，还需要加入rentention register来代替regular的register。retention register会附加一个shadow latch在

regular register之后，使用高Vt单元来减少leakage，但是timing会不太好。

 

Power Switch的结构：fine grain power gating和coarse grain power gating。

fine grain power gating表示，每个switch都放在cell内部。这样使得面积增大1x-3x。

这样做的优势：可以更好的控制由于IR-Drop而导致的timing问题。

 

coarse grain power gating，一个block的gates拥有一组switch cell。比较节约面积。

但是这样的设计，必须控制好起电的冲击电流，控制power network中的IR-drop。

目前使用最多。

 

Power Gating设计中的重点：
1)Power Switch的设计；

2)Power Gating controller的设计；

3)retention register和isolation cell的选择及插入；

4)Power Gating对area和timing的影响；

5)clock和reset模块的设计；

6)Power State transaction的verfication；

7)针对manufacturing的DFT设计策略；