ad18的pcb选中器件在制定区域_典型潮敏元器件分层问题研究

最新推荐文章于 2022-08-09 09:12:49 发布

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本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_34618526/article/details/112363647

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王世堉贾忠中王玉

(中兴通讯股份有限公司广东深圳)

摘　要：

潮敏物料主要是指非密封封装的IC，受潮后主要失效模式为内部分层。通过对两例特殊的潮敏元器件失效问题进行分析和研究，发现QFN内部分层并非完全与受潮有关，另一方面也与焊接过程中的热应力强相关。可适当调整以规避应力和潮敏的双重作用，解决其分层问题。高分子钽电解电容作为非IC也可能受潮敏问题困扰，物料在受潮后进行回流焊接加工时，出现分层和冒锡珠问题。着重从失效问题的定位和影响程度进行分析，结合失效机理分析，确定改善和补救方法。

电子组装过程中，经常会使用潮敏物料，这种物料受车间暴露时间、温度和湿度的影响，经高温焊接后易失效，因此是电子组装中需特别关注的一类物料。通常情况下，潮敏物料采用非密封性树脂，如IC(IntegratedCircuit，集成电路)器件，潮敏等级(MSL)越高则加工的风险越高(主要集中在MSL≥3)。

常规IC因受潮而发生变形分层，业内已有相当多研究，但对某些特殊分层现象和非IC元器件的潮敏问题研究相对较少，本文主要从工作中遇到的两个案例出发，探讨这类特殊分层现象及非IC元器件的潮敏问题，并进行原因分析和确定解决方案。

1 失效现象描述

1.1 QFN元器件内部分层[1]

背景：QFN(QuadFlatNo-leadPackage)元器件在单板上的位置如图1红框内所示，位于单板角落处，无螺接等机械方式装配，可排除外部应力。QFN元器件为单板上唯一MSL3物料，此单板有MSL2和MSL1的其他IC物料，可能有潮敏问题。此单板为铜基板，意味着需要采用较高的设定温度，可能存在热应力问题。

主要表现：单板测试不通过，不良率达到100%，定为QFN失效。

初步推测：潮敏失效。

1.2 高分子钽电解电容冒锡珠[2-3]

背景：生产加工巡检时发现某单板出现大量锡珠。通过对比核查发现，锡珠全部集中在某高分子钽电解电容附近的固定位置，如图2所示。

主要表现：高分子钽电解电容过炉后冒锡珠，锡珠在钽电容负极偏顶部的位置，位号不固定。

初步推测：焊接问题导致锡珠出现。

2 失效情况验证

2.1 QFN分层机理分析

1)通过对这批QFN元器件进行超声扫描(如图3所示)，发现分层位置大部分为关键区域(绑定区)，且直接导致绑定点断开或缺陷。由于单板上只有此元器件为MSL3，结合分层的失效模式，初步判定此次分层失效机理为元器件受潮导致。但通过反查车间暴露时间(远低于MSL3允许的暴露时间)，似乎又不是完全潮敏导致的问题。

2)通过与IC厂家沟通，认为此IC的应用场景特殊，铜基板和炉温等因素对此QFN区域的产生了应力，从而导致分层。

3)通过对IC结构的分析，发现其内部Die(芯片)采用45°旋转设计，导致芯片可承受的耐热温度增高，应力增大。

综合以上分析，可以得出：此次失效可能与结构、耐热温度和应力等因素有关。

2.1.1 验证方案

为进一步验证以上对失效机理的推断是否准确，结合应用背景和质疑的影响因素，制定了实验方案，见表1。

2.1.2 实验结果

实验验证结果见表2。

2.1.3 小结

根据以上实验结果可得出如下结论：

1)此次QFN的分层与潮敏有一定相关，烘烤可以有效降低失效率，但无法完全解决问题，由此可知潮敏并非导致其失效的唯一原因。

2)通过减少焊接，或采用SnPb焊料，可以完全解决此QFN的分层问题，由此推测与焊接应力有更大关系。

3)因此，潮敏和应力双因素，导致了此次的QFN元器件分层问题。

2.2 高分子钽&铝电解电容锡珠机理分析

通常非IC类元器件为非潮敏物料，但高分子钽&铝电解电容由于材料及制作工艺的原因，业界通常将其归类为MSL3。

经过分析高分子钽电解电容的问题背景、加工过程和现象，发现锡珠不同于常规焊接过程中锡膏溅出产生的锡珠，而是固定发生电容本体上，且位置比较固定(电容负极的本体位置)，如图4所示。

根据锡珠位置的特殊性(如图5所示)，只有在引线框架上的镀层存在Sn。推测锡珠并非来源于外部锡膏，而是来自于电容内部。但为什么引起锡珠溢出呢？推测与潮敏相关，即物料受潮后，在高温焊接时产生瞬间蒸汽压力，在压力和镀层熔锡的共同作用下形成锡珠。而只在负极形成锡珠的原因是，只有负极的引脚大面积嵌入在塑胶外壳内。