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输入正四棱台的下底边长a、上底边长b、台高h或斜高H或棱长c、已知条件、√2的精度、密度(选填),点击“计算”按钮,可快速求出正四棱台的体积V、表面积S、上底面积S1、下底面积S2、单侧面积(梯形面积)S3、下底对角线长d、上底对角线长e、台高h、斜高H、棱长c、质量M等未知量。

正四棱台体积计算公式:V=[S1+S2+√(S1×S2)]×h/3

即:体积=[上底面积+下底面积+根号下(上底面积×下底面积)]×台高÷3

正四棱台表面积计算公式:S=上底面积+下底面积+侧面梯形面积×4

下底对角线长=√2*下底边长

上底对角线长=√2*上底边长

下底面积S1=a^2

上底面积S2=b^2

单侧面积S3=(a+b)*h/2

质量=密度*体积

台高h、斜高H、棱长c、下底边长a、上底边长b的对应关系:

H=√{h^2+[(a-b)/2]^2}

c=√{H^2+[(a-b)/2]^2}

正四棱台的特性:

1.正四棱台的侧棱相等,侧面是全等的等腰梯形。各等腰梯形的高相等,它叫做正四棱台的斜高;

2.正四棱台的上底面和下底面以及平行于底面的截面是相似正四边形(即正方形);

3.正四棱台的两底面中心连线、相应的边心距和斜高组成一个直角梯形;两底面中心连线、侧棱和两底面相应的半径也组成一个直角梯形。

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汉字字库存储芯片扩展实验 # 汉字字库存储芯片扩展实验 ## 实验目的 1. 了解汉字字库的存储原理和结构 2. 掌握存储芯片扩展技术 3. 学习如何通过硬件扩展实现大容量汉字字库存储 ## 实验原理 ### 汉字字库存储基础 - 汉字通常采用点阵方式存储(如16×16、24×24、32×32点阵) - 每个汉字需要占用32字节(16×16)到128字节(32×32)不等的存储空间 - 国标GB2312-80包含6763个汉字,需要较大存储容量 ### 存储芯片扩展方法 1. **位扩展**:增加数据总线宽度 2. **字扩展**:增加存储单元数量 3. **混合扩展**:同时进行位扩展和字扩展 ## 实验设备 - 单片机开发板(如STC89C52) - 存储芯片(如27C256、29C040等) - 逻辑门电路芯片(如74HC138、74HC373等) - 示波器、万用表等测试设备 - 连接线若干 ## 实验步骤 ### 1. 单芯片汉字存储实验 1. 连接27C256 EPROM芯片到单片机系统 2. 将16×16点阵汉字字库写入芯片 3. 编写程序读取并显示汉字 ### 2. 存储芯片字扩展实验 1. 使用地址译码器(如74HC138)扩展多片27C256 2. 将完整GB2312字库分布到各芯片中 3. 编写程序实现跨芯片汉字读取 ### 3. 存储芯片位扩展实验 1. 连接两片27C256实现16位数据总线扩展 2. 优化字库存储结构,提高读取速度 3. 测试并比较扩展前后的性能差异 ## 实验代码示例(单片机部分) ```c #include <reg52.h> #include <intrins.h> // 定义存储芯片控制引脚 sbit CE = P2^7; // 片选 sbit OE = P2^6; // 输出使能 sbit
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