能带理论与费米能级

一、半导体中的电子状态

半导体具有许多独特的物理性质,这与半导体中电子的状态及其运动特点有密切关系:为了研究和利用半导体的这些物理性质,本章将简要介绍半导体单晶材料中的电子状态及其运动规律,半导体单晶材料和其它固态晶体一样,是由大量原子周期性重复排列而成,而每个原子又包含原子核和许多电子。如果能够写出半导体中所有相互作用着的原子核和电子系统的薛定谔方程,并求出其解,便可以了解半导体的许多物理性质。但是,这是一个非常复杂的多体问题,不可能求出其严格解,只能用近似的处理方法-单电子近似来研究固态晶体中电子的能量状态。所谓单电子近似,即假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动。该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。用单电子近似法研究晶体中电子状态的理论称为能带论。有关能带论的内容在固体物理学课程中已经比较完整地介绍过了,这里仅作简要回顾,并介绍几种重要半导体材料的能带结构

1、半导体单晶材料中的电子状态及其运动规律

重要的半导体材料硅、错等在化学元素周期表中都属于第N族元素,原子的最外层都具有四个价电子。大量的硅、错原子组合成晶体靠的是共价键结合,它们的晶格结构与碳原子组成的一种金刚石晶格一样都属于金刚石型结构。这种结构的特点是:每个原子周用都有四个最近邻的原子,组成一个如图1-1(a)所示的正四面体结构。这四个原子分别处在正四面体的顶角上,任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有,共有的电子在两个原子之间形成较大的电子云密度,通过它们对原子实的引力把两个原子结合在一起,这就是共价键。这样,每个原子和周围四个原子组成四个共价键。上述四面体四个顶角原子又可以各通过四个共价键组成四个正四面体。如此推广,将许多正四面体累积起来就得到如图1-1(b)所示的金刚石型结构(为看起来方便,有些原子周围、画出二个或三个共价键),它的配位数是

2、薛定谔方程-单电子-能带论（固体物理学）

固体按其导电性分为导体、半导体、绝缘体的机理,可以根据电子填充能带的情况来说明。

固体能够导电,是固体中的电子在外电场作用下作定向运动的结果。由于电场力对电子的加速作用,使电子的运动速度和能量都发生了变化。换言之,即电子与外电场间发生能量交换。
从能带论来看,电子的能量变化,就是电子从一个能级跃迁到另一个能级上去。
①价带：价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。但若该电子受到光照，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。
对于满带,其中的能级已为电子所占满,在外电场作用下,满带中的电子并不形成电流,对导电没有贡献,通常原子中的内层电子都是占据满带中的能级,因而内层电子对导电没有贡献。
②禁带(Forbidden Band) 常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。半导体的禁带宽度较小，当温度升高时，电子可以被激发传到导带，从而使材料具有导电性。绝缘体的禁带宽度很大，即使在较高的温度下，仍是电的不良导体。无机半导体的禁带宽度从0.1～2.0eV，π-π共轭聚合物的能带隙大致在1.4～4.2eV,绝缘体的禁带宽度大于4.5eV。
③导带：对于被电子部分占满的能带,在外电场作用下,电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去,形成了电流,起导电作用,常称这种能带为导带。金属中,由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的,所以金属是良好的导体。

3、几种重要半导体材料的能带结构

参考：半导体物理学 第4版 刘恩科，朱秉升，罗晋生主编 1994年

二、费米能级$E_F^{}$

费米能级是绝对零度下电子所能够占据的最高能级，每个能级上面能够放自旋相反的两个电子。
费米能级就是风吹过刚下过的雪时候刚好能吹起来的那层雪花。
楼梯的比喻不错。设想你有一麻袋苹果（电子），你面前有一个长长的阶梯（能带），你从最下面一级台阶（能级）起往上走，每到一级台阶（能级），就在这一级台阶上面放两个苹果（电子），一直继续下去，到放完为止。此时你站立的台阶，就是费米能级。
费米能级完全是一个thermodynamics的概念，是一个统计概念，用绝对零度感觉不会帮助理解，因为你到不了0K… 我的理解是费米能级是一个参考，然后通过它你能知道能带任意一个位置被电子占据的概率是多少。往费米能级下方走，离得越远，越有可能被电子占据，往上方走，离得越远，那里就越不可能有电子。当正好在费米能级的时候，有50%的可能性有电子。当然band gap中间没有电子，算出来也没有意义。所以为什么半导体在常温下会导电？因为用费米能级计算出来导带的底部有可能被电子占据，禁带的顶部有可能没有电子。
MIS结构的装置研究表面电场效应。这种装置是由中间以绝缘层隔开的金属板和半导体衬底组成的,在热平衡情况下,半导体内费米能级应保持定值,故当VG<0,V,VS>0，随着向表面接近,价带顶将逐渐移近甚至高过费米能级。