咱们光模块的硬件设计里,有两个雷同的问题,很多人在后台问过,其实在写这些篇章的时候,陆陆续续的都解释过。今天把两句话摘出来,单写
探测器为何加“反向偏压”?
电吸收调制器,为何加“负电压”?
这俩问题,合并起来就是一个问题,
探测器的结构是PIN,作用是吸收光子,产生电流。咱们看中的是产生的电流量
PIN的I是本征层,可以看做是PN结的延长体,把P和N之间拉长,不是PN结,而是“P N”结,延长的那些区域,是让材料更多的吸收光,产生自由电子。
电吸收调制器也是个PIN型,加电压则吸收光子(顺道也产生自由电子),不加电压则不吸收。粗浅的理解,电吸收调制器的吸收态就是一个探测器。
探测器的反向偏压,就是N级接光模块的3.3V,P级接GND。结果就是“N的电压比P高”
电吸收调制器的负电压,N接GND,P接负电压,结果也是,N的电压比P高
合并后的问题,就是在吸收光子的状态下,为什么PN结要反向偏置?
一个P型半导体,和一个N型半导体,就是PN结,中间加一层本征层,就是P----N结,正向偏压,直接就能导通,(Y2T44 半导体材料、P型N型半导体与PN结,T2