探测器反向偏压_Y5T60 为何探测器和电吸收调制器，加反电压，而不是正电压

咱们光模块的硬件设计里，有两个雷同的问题，很多人在后台问过，其实在写这些篇章的时候，陆陆续续的都解释过。今天把两句话摘出来，单写

1. 探测器为何加“反向偏压”？

2. 电吸收调制器，为何加“负电压”？

这俩问题，合并起来就是一个问题，

探测器的结构是PIN，作用是吸收光子，产生电流。咱们看中的是产生的电流量

PIN的I是本征层，可以看做是PN结的延长体，把P和N之间拉长，不是PN结，而是“P        N”结，延长的那些区域，是让材料更多的吸收光，产生自由电子。

电吸收调制器也是个PIN型，加电压则吸收光子(顺道也产生自由电子)，不加电压则不吸收。粗浅的理解，电吸收调制器的吸收态就是一个探测器。

探测器的反向偏压，就是N级接光模块的3.3V，P级接GND。结果就是“N的电压比P高”

电吸收调制器的负电压，N接GND，P接负电压，结果也是，N的电压比P高

合并后的问题，就是在吸收光子的状态下，为什么PN结要反向偏置？

一个P型半导体，和一个N型半导体，就是PN结，中间加一层本征层，就是P----N结，正向偏压，直接就能导通，(Y2T44  半导体材料、P型N型半导体与PN结，T2