逻辑门的延迟

最新推荐文章于 2024-04-08 02:03:26 发布
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分类专栏： 数字设计 文章标签： macos
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1 静态CMOS逻辑门的延迟

逻辑门的延迟测量的是输入电压变化50%到产生输出电压变化50%的时间

 

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cmos逻辑门传输延迟时间_组合逻辑电路详解、实现及其应用
weixin_39710396的博客
11-19 5239
本文为明德扬原创及录用文章，转载请注明出处！一、什么是组合逻辑电路？在数字电路中,根据逻辑功能的不同,我们可以将数字电路分成两大类,一类叫做组合逻辑电路、另一类叫做时序逻辑电路。本次主要讲解组合逻辑电路的原理、应用和Verilog实现。组合逻辑电路在逻辑功能上的特点是任意时刻的输出仅仅取决于该时刻的输入，与电路原来的状态无关。而时序逻辑电路在逻辑功能上的特点是任意时刻的输出不仅取决于当时的输入信号...
逻辑门电路的延时分析
weixin_30888413的博客
08-21 7997
关于MOS管 NMOS: PMOS: NMOS是栅极高电平（VGS > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS是栅极低电平（VGS < Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，...
CMOS电平TTL电平与RS232电平的区别
Diego2008的专栏
03-02 978
TTL电平与RS232电平的区别什么是TTL电平、CMOS电平、RS232电平？它们有什么区别呢？一般说来，CMOS电平比TTL电平有着更高的噪声容限。 （一）、TTL电平标准 输出 L： 2.4V。 输入 L： 2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。于是TTL电平的输入低电平的噪声容限就只有(0.8-0)/
cmos逻辑门传输延迟时间_Verilog设计与逻辑综合实例解析（低功耗）
weixin_39548787的博客
11-02 1271
//源自微信公众号 “数字芯片实验室”低功耗是当今大多数芯片的关键要求。 芯片的功耗越大，设备就会越热，运行速度越慢。并且在高温下，芯片的可靠性会降低。 本文讨论如何在RTL级对功耗进行优化。在RTL编码期间可以有哪些方法降低功耗？在芯片逻辑转换期间，CMOS电路中的任何开关活动都会产生瞬时电流，因此增加了功耗。设计中最常见的存储元件是同步触发器，它的输出会在输入数据和时钟改变时改变。 因此，如果...
cmos逻辑门传输延迟时间_02. 码制与逻辑运算
weixin_39867594的博客
11-22 673
1. 数制与码制之间的关系(数)码(code): 数字状态的组合(一般为二进制的1和0), 用以表示数字/字母/符合信息.代码: 用特定的 数码 表示字符信息编码: 一种给信息规定数码表示的方法自然二进制码(Binary Code): 最简单直接的一种, (假设从第1位开始)第 位的权重位 循环二进制码: 无固定权值, 多种编码方案, 每次仅仅变化一位(稳定性/信息传输的可靠性/防止竞争冒险的...
TTL与CMOS 高低电平 电路区别比较
gtkknd的专栏
11-08 1万+
TTL与CMOS 高低电平 电路区别比较 来源：互联网 作者： 一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V，Uil
cmos逻辑门传输延迟时间_电路基础：详解TTL和CMOS电平
weixin_39687468的博客
11-21 4855
TTL电路TTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V，Uil≤0.8VCMOS电路CMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接...
cmos逻辑门传输延迟时间_【转载】CMOS与TTL电路的区别
weixin_39634480的博客
11-21 2327
一、CMOS与TTL电路的区别 1) CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路） 2)COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 3)CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差 4)CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门） 5)CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与T...
cmos逻辑门传输延迟时间_MOS管设计知识：传输管TG的原理及组合逻辑延时分析
weixin_39550410的博客
11-22 5996
1、MOS的基本性质MOS，即场效应管，四端器件，S、D、G、B四个端口可以实现开和关的逻辑状态，进而实现基本的逻辑门。NMOS和PMOS具有明显的对偶特性：NMOS高电平打开(默认为增强型，使用的是硅栅自对准工艺，耗尽型器件这里不涉及)，PMOS低电平打开。在忽略方向的情况下，采用共S极接法，有如下特性：第一张图是Vds随Vgs变化的情况，用于描述开关特性。后面的逻辑分析一般基于这个原...
关于使用结构化描述方式编写RTL代码时逻辑门的延时语法的功能解释
qq_59529218的博客
03-02 277
结构化描述方式与一边的行为级描述方式不同,结构化更加底层,更接近电路级. 对于结构化描述中的逻辑门,可以给逻辑门添加驱动强度和传输延时,如下: and(strong1,strong0) #10 a1(out1,in1,in2); 该语句表示驱动强度为strong的逻辑与门,其输入与输出间隔10ns. 容易存在的误区是: 该延时代表的是输入与输出的间隔,是在10ns前采集与门的两个输入端口in1,in2的信号,在10ns后才与运算的结果从out1输出. 而不是从0ns延时10ns...
cmos逻辑门传输延迟时间_集基耦合双稳电路，集成化单稳电路，数字逻辑电路，门电路，触发器...
weixin_39849127的博客
11-20 1020
1).箝位器能把脉冲电压维持在某个数值上而使波形保持不变的电路称为箝位器。它也是整形电路的一种。例如电视信号在传输过程中会造成失真，为了使脉冲波形恢复原样，接收机里就要用箝位电路把波形顶部箝制在某个固定电平上。下图中反相器输出端上就有一个箝位二极管 VD 。如果没有这个二极管，输出脉冲高电平应该是12 伏，现在增加了箝位二极管，输出脉冲高电平被箝制在 3 伏上。此外，象反相器、射极输出器等电路也有...
《逻辑与计算机设计基础（原书第5版）》——2.7　门的传播延迟
weixin_34248849的博客
09-04 2425
2.7　门的传播延迟 正如第2.1节所指出的那样，逻辑门的一个重要特性是传播延迟（propagation delay）。传播延迟是信号的变化从输入传播到输出所需要的时间。电路运行的速度与电路中经过门的最长传播延迟成反比关系。电路运行速度通常是电路设计的关键约束，在很多情况下，运行速度可能是最重要的设计约束。图2-24举例说明了传播延迟，它定义了三个传播延...
详解TTL和CMOS电平(转)
neha的博客
05-16 1万+
来源-http://www.eepw.com.cn/article/274181.htm建议读者阅读原文，确保获得完整的信息，侵权请联系删除。TTL电路　　TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。　　1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol　　Uoh≥2.4V，Uol≤0.4V　　2.输入高电平和...
时间延迟T
weixin_44511361的博客
09-09 1900
T：（度量单位）一个与非门或者一个或非门的时间延迟。每级异或门延迟3T，每级进位链延迟2T。
数字电路延时
热门推荐
zhong_ethan的博客
03-29 2万+
作为一名数字电路设计工程师，为了避免设计一些垃圾出来。应该深入理解为什么一个电路具有延时以及如何修改这个电路以改善延时。设计者还必须有一些简单的模型能用手工快速估算性能并能理解为什么某些电路比另一些好。EDA工具能够精确快速的估算复杂的延时模型，所以逻辑努力方法不应当用来代替这样的工具。它的价值在于能进行快速粗略的手工计算并能展现电路设计的深层含义。
I2C协议底层原理超详细解析！示波器，逻辑分析仪多图预警
电子芯吧客的博客
06-11 5699
1.协议基础 1.1. 协议简介 IIC-BUS（Inter-IntegratedCircuit Bus）最早是由PHilip半导体（现在被NXP收购）于1982年开发。主要是用来方便微控制器与外围器件的数据传输。它是一种半双工，由SDA（数据）和SCL（时钟）组成的两线式串行传输总线。 目前最新的协议版本是2014版，官方链接如下： https://www.nxp.com/docs/en/user-guide/UM10204.pdf 1.2. 物理信号 图1-1 IIC实际的波形 图1-2 IIC协
全加器和行波进位加法器的延迟时间
wanghanyu666的博客
12-20 9389
@[TOC]全加器和行波进位加法器的延迟时间 全加器和行波进位加法器的延迟时间的理解 这是我第一次写博客，有写的不好的请指教。 延迟时间的本质是找最长的传输路径。 首先要知道，一级门（如与门，或门，与非门等等）为T，异或门3T。 Si为3T+3T=6T； Ci+1为3T（异或门）+T（与非门）+T（与非门）=5T； 当n个全加器连成一个n位行波进位加法器时，AB都是同时输入的，3T的A⊕B是同时把n个都计算好了；每个进位C都是2T。 故：ta = 3T+2nT+3T+3T。 其中第
【学习笔记】3、逻辑门电路
最新发布
Kshine2017的博客
04-08 2969
由下图可知，栅极电压较大时，MOS处于导通可变电阻区，彻底导通，相当于一根闭合导线。CMOS反相器（或CMOS电路），用来驱动其他MOS器件时，负载的输入阻抗是电容性的。在“可变电阻区”内，Vds变大，电流Id也变大，电流Id变化趋势逐渐变缓慢。当BJT集电结的正向偏压达到SBD的导通阈值电压时，二极管先导通，将三极管的集电极正向偏压钳制在0.4V。（4）缺点，制造工艺要求高，功耗大，（电压摆幅小）抗干扰能力差。处，电流最大，功耗最大。NMOS与非门，基于NMOS反相器，在“非门”上加个“与”，即串联。
纳米级集成电路中NBTI效应下组合逻辑门延迟预测的改进模型
为了提高老化预测的准确性，本文作者李军、梁华国和许达文针对这一问题，深入研究了NBTI空穴俘获释放过程对晶体管阈值电压的影响，提出了一个新的组合逻辑门传输延迟预测模型（TDDP，Trapping/Detrapping Delay ...
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