MOS管的开关模型

1栅极长度L是载流子必须经源到漏的距离，因此L直接关系到器件的速度，L越小，器件的速度越快，功耗越低

2沟道宽度W决定了器件的强度，器件越宽，并行穿过器件的载流子越多。W值越大，晶体管的导通电阻越小，电流越大，负载电容放电越快，从而器件速度越快。但是随着W的增加，器件栅极电容也会增加，从而会延长器件栅极的充放电时间。

 Cg=W*L*Kc   Rs= L*Krn/W

对于PMOS 和 NNOS，Kc相同，Kr 却因为比率Kp不同而不同，PMOS比NMOS电阻大

Kp = Wp/Wn=Krp/Krn