工艺角（process corner）

参考文献：https://blog.csdn.net/jerryer121/article/details/86487946?ops_request_misc=%257B%2522request%255Fid%2522%253A%2522161423391316780274158597%2522%252C%2522scm%2522%253A%252220140713.130102334.pc%255Fall.%2522%257D&request_id=161423391316780274158597&biz_id=0&utm_medium=distribute.pc_search_result.none-task-blog-2~all~first_rank_v2~rank_v29-2-86487946.first_rank_v2_pc_rank_v29&utm_term=%E5%B7%A5%E8%89%BA%E8%A7%92+process+corner

工艺极限 

ss、tt、ff分别指的是左下角的corner，中心、右上角的corner。各种工艺角和极限温度条件下对电路进行仿真是决定成品率的基础。

如果采用5-corner model会有TT,FF,SS,FS,SF 5个corners。如TT指NFET-Typical corner & PFET-Typical corner。其中, Typical指晶体管驱动电流是一个平均值，FAST指驱动电流是其最大值，而SLOW指驱动电流是其最小值（此电流为Ids电流）这是从测量角度解释，也有理解为载流子迁移率(Carrier mobility)的快慢。载流子迁移率是指在载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。

单一器件所测的结果是呈正态分布的，均值在 TT，最小最大限制值为SS与FF。对于工艺偏差的情况有很多，比如掺杂浓度，制造时的温度控制，刻蚀程度等，因此造成了同一个晶圆上不同区域的情况不同，以及不同晶圆之间不同情况的发生。

PVT (process, voltage, temperature)

设计除了要满足上述5个corner外，还需要满足电压与温度等条件, 形成的组合称为PVT (process, voltage, temperature) 条件。电压如：1.0v+10% ,1.0v ,1.0v-10% ; 温度如：-40C, 0C 25C, 125C。设计时设计师还常考虑找到最好最坏情况. 时序分析中将最好的条件(Best Case)定义为速度最快的情况, 而最坏的条件(Worst Case)则相反。最好最坏的定义因不同类型设计而有所不同。最坏的延迟也不都出现在SS[19] 。至于延迟随PVT发生怎样的变化，还需要进一步查找资料。

根据不同的仿真需要，会有不同的PVT组合。以下列举几种标准STA分析条件[16]：

WCS (Worst Case Slow) : slow process, high temperature, lowest voltage

TYP (typical) : typical process, nominal temperature,nominal voltage

BCF (Best Case Fast ) : fast process, lowest temperature, high voltage

WCL (Worst Case @ Cold) : slow process, lowest temperature, lowest voltage

在进行功耗分析时，可能是另些组合如：

ML (Maximal Leakage ) : fast process, high temperature, high voltage

TL (typical Leakage ) : typical process, high temperature, nominal voltage

除此之外，另一个组合条件称为 Scenarios:

Scenarios = Interconnect + operation mode + PVT

噪声(noise)与串扰(crosstalk) 似乎需要另外考虑。

   1. 内连线情况(interconnect corner)

      制造对互连线造成的影响，如：R_typical C_typical, R_max C_max, R_max C_min, R_min C_min
   2. 工作模式 (Operation Mode)

      如：function mode, scan mode, sleep mode, standby mode, active mode

多种scenarios 的综合分析，称之为 MMMC (Multi-Mode Multi-Corner) Analysis。

OCV (On-chip Variations)

由于偏差的存在，不同晶圆之间，同一晶圆不同芯片之间，同一芯片不同区域之间情况都是不相同的。造成不同的因素有很多种，这些因素造成的不同主要体现：

1，IR Drop造成局部不同的供电的差异；

2，晶体管阈值电压的差异；

3，晶体管沟道长度的差异；

4，局部热点形成的温度系数的差异；

5，互连线不同引起的电阻电容的差异。

OCV可以描述PVT在单个芯片所造成的影响。更多的时候, 用来考虑长距离走线对时钟路径的影响。在时序分析时引入derate参数模拟OCV效应，其通过改变时延迟的早晚来影响设计。