常用半导体器件之二极管

1.PN结的伏安特性

U（BR）反向击穿电压

2.PN结的电容效应

耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同，这种电容效应成为扩散电容Cd。

它与流过PN结的正向电流i，温度的电压当量UT以及非平衡少子的寿命t有关。i越大、t越大、UT越小，Cd就越大。

结电容Cj = Cb+Cd，结电容通常为（1pF-几百pF），对低频信号大容抗，只有在信号频率高时才考虑结电容作用。

即高频情况下，二极管可以等效为一个理想二极管与一个电容的并联，这个并联的电容会对电路产生影响。