常用文件储存设备的原理和特性

内容简述

简述常用的文件储存设备，包括NOR Flash、NAND Flash、eMMC的硬件原理，器件特性

1.Flash基本储存单元

NOR FLASH和NAND FLASH都是使用浮栅场效应管(Floating Gate FET)作为基本存储单元。浮栅场效应管共4个端电极：源极（Source）、漏极（Drain）、控制栅极（Control Gate）和浮置栅极（Floating Gate）。
浮栅（FG）不带电荷，则场效应管处于不导通状态，表示数据1；浮栅（FG）带电荷，则场效应管处于导通状态，表示数据0。

NOR、NAND名称的由来：
NOR FLASH中的N是NOT，含义是Floating Gate中有电荷时，读出为‘0’，无电荷时读出为‘1’，是一种‘非’的逻辑。OR的含义是同一个Bit Line下的各个基本存储单元是并联的，是一种‘或’的逻辑。
NAND FLASH中的N是NOT，含义同上。AND的含义是同一个Bit Line下的各个基本存储单元是串联的，是一种‘与’的逻辑。
FLASH的‘或’、‘与’逻辑取决于储存单元连接方式，下文“Flash的结构和特性”中描述。

场效应管原理扩展：
BJT（三极管）是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流大小，称为电流控制器件。
FET（场效应管）是由栅极电压控制漏极和源极之间的电流大小，称为电压控制器件。FET的栅极上没有电流流过（实际上只有极小的电流流过，比BJT基极电流小的多）

FLash使用场效应管的原因、特性：

1. 高集成度：场效应管的结构简单，可以实现高密度集成，从而提高存储容量。
2. 低功耗：场效应管的功耗较低，可以实现低功耗存储。
3. 高速度：场效应管的开关速度较快，可以实现高速读写操作。
4. 可靠性高：场效应管的结构简单，制造工艺成熟，可靠性较高。
5. 可编程性强：场效应管可以通过控制栅极电压来控制其导通和截止状态，从而实现可编程存储。

2.Flash储存单元的擦、写

擦除操作是从浮栅中挪走电荷，写操作就是向浮栅注入电荷。
方法包括热电子注入(hot electron injection)和F-N隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)。

思考：
1.为什么flash有擦除寿命限制？
答：隧穿会损伤隧穿氧化层
2.为什么flash的擦除、写入时间较长？

3.Flash的储存结构和特性

NOR FLASH的结构原理图如上，可见每个Bit Line下的基本存储单元是并联的，当某个Word Line被选中后，就可以实现对该Word的读取，也就是NOR Flash支持随机存取（Random Ａccess），且具有较高的读取速率。

NAND FLASH的结构原理图如上，可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的，NAND读取数据的单位是Page，当需要读取某个Page时，FLASH控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而对其他所有Page的Word Line施加电压（电压值不能改变Floating Gate中电荷数量），让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通，而我们要读取的Page的基本存储单元的D和S的导通/关断状态则取决于Floating Gate是否有电荷，有电荷时，Bit Line读出‘0’，无电荷Bit Line读出‘1’，实现了Page数据的读出，但NAND无法实现随机存取。

并联的NOR Flash结构比串联的NAND Flash需要更多的导线连接，Die的利用率较低，所以NAND Flash的储存密度更高，适合大容量储存的场景。NOR Flash支持位寻址和XIP，适合储存代码。

4.NAND Flash的分类

NAND闪存的常见类型有SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Triple-Level Cell) 和QLC等。不同类型的闪存，其结构特性、单元位数、耐久性等是不同的，其中耐久性是由闪存单元在开始磨损前可以完成的程序擦写（P/E）周期数量来决定的，擦除和写入一个单元的过程便是一个P/E周期，P/E周期的标称数值越高，则表示该闪存颗粒可擦写的次数越高，即其耐久性越高。
思考：
MLC、TLC怎么在一个基本储存单元中表示多个bits？

5.NAND Flash芯片内部组织方式

上图以一款SPI NAND Flash芯片为例，Flash芯片与Host设备用SPI通信。芯片内部主要模块包含控制器，缓存和NAND储存颗粒等。
NAND储存颗粒可分为多个block，block为最小擦除单元。block可分为多个page，page为最小读、写单元。

6.eMMC芯片内部组织方式

eMMC是embedded MultiMediaCard的简称，即嵌入式多媒体卡，是一种闪存卡的标准，具体由电子设备工程联合委员会JEDEC订立和发布。它是对MMC的一个拓展，具有体积小，功耗低，容量大等优点，非常适合用作智能手机、平板电脑、移动互联网设备等消费类电子设备的存储介质。

eMMC简化框图如上，其内部主要包括储存介质（NAND Flash）和Flash控制器。通过MMC标准接口与Host端通信，在Host端有MMC控制器。

NAND Flash与eMMC对比，eMMC控制器实现了ECC（Error Checking and Correcting）、坏块管理和擦写均衡，Host端只需要通过标准MMC接口即可操作eMMC，使用起来更简单。

7.常见文件储存设备对比

由上表可见，
Norflash容量相对较小，擦除时间长，但支持XIP（eXexute In Pleace），适合储存可执行程序
Nandflash容量相对较大，擦除时间短，适合储存总量不大的数据何文件
eMMC容量最大，适合储存大量数据和文件

参考文档：
https://www.elecfans.com/consume/2156080.html