去耦电容 & 旁路电容

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高速PCB基础——电阻，电容，电感
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#1，去耦电容，对于输出信号作用
去耦电容是电路中装设在元件的电源端的电容，此电容可以提供较稳定的电源（电容储能作用），同时也可以降低元件耦合到电源端的噪声（耦合噪声到地），间接可以减少其他元件受此元件噪声的影响。
在共享导体的电路中，共享电源的时候，当一个器件需要对外提供输出的时候就会同时拉低该导体的电压，产生噪声耦合到共享的电路中。在有噪声的环境中，这些电磁波会在导体内感应出电压信号，影响回路中的元件。在数位电路中，器件容易在临界位置由于干扰而产生错误的信号，从而产生错误的动作。去耦电容可以减少以上情形的发生。去耦电容一般都安置在元件附近的电源处，以减少布线阻抗对滤波效果的影响。去耦电容多使用瓷片电容，其数值由电压信号最快上升和下降速度确定。 [1] 去耦电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。

数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5nH。0.1μF的去耦电容有5nH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，计算方法为 也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在2MHz以上，去除低频噪声的效果要好一些。
为了减小电源分配系统中的电压轨道塌陷，就要在电源和地之间有足够的去耦电容。在一定时间δ t \delta tδt 内，电容可以阻止电源电压的下沉。
在电源轨道上，如果芯片的功率损耗为P，则电流为I=P/V。由于去耦电容的作用，电压下沉幅度到电源电压的5%时的时间近似为：

V=电源电压；
δ t =电压下降幅度达到电源电压的5%的时间；
P表示芯片的功率；
C表示去耦电容；
通常需要足够大的去耦电容，以提供至少5us的时间，直到电压稳压器提供足够的电流。

#2， 旁路电容，对于输入信号作用
旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除。
旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。电容一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其ESR。如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个V形的曲线。具体曲线与电容的介质有关，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较保险的方法就是多并几个电容