旁路电容和去藕电容基础知识汇总

一、什么是旁路电容，什么是去藕电容

• 1.旁路（bypass）电容：是把输入信号中的高频成分作为滤除对象；
• 2.去耦（decoupling）电容：也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除
对象。
• 3.高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦
合电容一般比较大，是10u或者更大。
• 4.去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开
关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。
• 5. 从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，
驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的
时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中
的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于
正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。
去耦电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间
的耦合干扰 。

二、为什么常用0.1uF电容

• 1.有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。
• 2.去耦电容在集成电路电源和地之间有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。
• 3.数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5nH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。
• 4.1μF、10μF的电容，并行共振频率在2MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。
• 5.去耦电容的选用并不严格，其电容值可按C=1/F来计算，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
• 6.在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，好的高频去耦电容可以去除高到1GHz的高频成分。
陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。设计印制线路板时，每个集成电路的电源、地之间都要加一个去耦电容。去耦电容有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，提供和吸收该集成电路开门关门瞬间的充放电能；另一方面旁路掉该器件的高频噪声 

三、去藕电容的使用原则

• 1.电源分配滤波电容。电源输入端跨接一个10μF~100μF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。1μF,10μF电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频率噪声的效果要好一些。在电源进入印制板的地方和一个1μF或10μF的去高频电容往往是有利的，即使是用电池供电的系统也需要这种电容。
• 2.芯片配置去耦电容。为每个集成电路芯片配置一个0.01μF的陶瓷电容器。数字电路中典型的去耦电容为0.1/μF的去耦电容有5nH分布电感，它的并行共振频率在7MHz左右，也就是说对于10MHz以下的噪声有较好的去耦作用，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4~10个芯片配置一个1μF~10μF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1μF~10μF而且漏电流很小（0.5μA以下）。去耦电容值的选取并不严格，可按C=1/f计算，即10MHz取0.1μF。对微控制器构成的系统，取0.1μF~0.01μF之间都可以。
• 3.必要时加蓄放电容。每10片左右的集成电路要加一片充放电电容，或称为蓄放电容，电容大小可选10μF。通常使用的大电容为电解电容，但是在滤波频率比较高时，最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感，最好使用钽电容或聚碳酸酯电容。在去耦电容的设计上，通常采用几个不同容值（通常相差二到三个数量级，如0.1uF与10uF），基本的出发点是分散串联谐振以获得一个较宽频率范围内的较低阻抗