高频电容 & 低频电容

电容工作频率:
电容器应工作在远低于电容器的自谐振频率f0的频率范围内以保证电容器成容性。
工作频率理解:对于滤波电路,那就是对应的正弦波频率;假如是40KHZ, 12ns的脉冲,那么对应的频率是40KHZ。
高频特性体现,在高频下还是容性。
材料是电介质损耗小的电容,高Q

等效串联电阻(ESR)和品质因素(Q)
等效串联电阻(ESR)是设计射频电路时不可忽视的重要因素之一,在设计时必须予以考虑。 ESR来源是介质损耗,电极和端头金属材料的损耗。损耗由于金属的趋肤效应,在射频下将以和频率平方根成正比的方式增长。
品质因素(Q)是元件的电抗对有效电阻之比,显示了电容器性能是否优良的指标,该比值认为是电抗性元件存储能量对其所消耗的能量纸币的量度。品质因数(Q)等于损耗因数(DF)的倒数。
使用高Q,低ESR电容能显著提高有效增益,也能大大提高产品的寿命。
以下公式供参考:
ESR =Xc * DF = Xc / Q
DF = ESR/Xc
在这里插入图片描述
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高频电容基本上是由无源元件、有源器件和无源网络组成的。高频电路中使用的元器件与低频电路中使用的元器件频率特性是不同的。高频电路中无源线性元件主要是电阻(器)、电容(器)和电感(器)

高频电容基本上是由无源元件、有源器件和无源网络组成的。高频电路中使用的元器件与低频电路中使用的元器件频率特性是不同的。高频电路中无源线性元件主要是电阻(器)、电容(器)和电感(器)

高频电容适合用于高频滤波的场合 — 比如电脑主板和开关电源的二次输出整流;  低频电容适合用于低频滤波的场合 — 比如交流电整流以后的滤波

高频电容和低频电容区别:
  任何制造出来的电容器都不是理想的电容器,都存在电介质损耗,电介质损耗小的电容器适用于高频电路电介质损耗大的只能工作于低频,这就叫电容器的频率特性,电容器频率特性是指电容器工作在交流电路(尤其在高频电路中)时,其电容量等参数将随着频率的变化而变化的特性。电容器在高频电路工作时,构成电容器材料的介电常数将随着工作电路频率的升高而减小。此时的电损耗也将增加。不同种类的电容器介电参数不一样,它们在很多情况下都不可互相替代。

电容分类:
独石电容、纸介电容、电解电容、低频瓷介--也称为铁电电容、涤纶电容(一般是容量较大,体积较小),因介质损耗大,不适用于高、中频电路。可用于低频、电源滤波等电路中;
云母电容、聚苯乙烯电容、高频瓷介、空气介质电容等(一般是容量较小,相对体积较大),介质损耗小,适合在高频、中频电路中使用。

火炬电容:
通常应用频率1KHZ10M选用2类瓷介质电容;应用频率10M300M选用1类瓷介质电容

Ⅰ类陶瓷电容器(ClassⅠceramic capacitor),过去称高频陶瓷电容器(High-frequency ceramic capacitor),**介质采用非铁电(顺电)配方,**以TiO2为主要成分(介电常数小于150),因此具有最稳定的性能;或者通过添加少量其他(铁电体)氧化物,如CaTiO3 或SrTiO3,构成“扩展型”温度补偿陶瓷,则可表现出近似线性的温度系数,介电常数增加至500。这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。特别适用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容,以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿

Ⅰ类陶瓷的温度特性怎么表示Ⅰ类陶瓷的温度容量特性(TCC)非常小,单位往往在ppm/℃,容量较基准值的变化往往远小于1皮法。美国电子工业协会(EIA)标准采用“字母+数字+字母” 这种代码形式来表示Ⅰ类陶瓷温度系数。比如常见的C0G。C0G代表的温度系数究竟是多少?C 表示电容温度系数的有效数字为 0 ppm/℃0 表示有效数字的倍乘因数为 -1(即10的0次方)G 表示随温度变化的容差为 ±30ppm计算下来,C0G电容最终的TCC为:0×(-1)ppm/℃±30ppm/℃。而相应的其他Ⅰ类陶瓷的温度系数,例如U2J电容,计算下来则为:-750 ppm/℃±120 ppm/℃。NPO和C0G是同一种电容吗?NPO是美国军用标准(MIL)中的说法,其实应该是NP0(零),但一般大家习惯写成NPO(欧)。这是Negative-Positive-Zero的简写,用来表示的温度特性。说明NPO的电容温度特性很好,不随正负温度变化而出现容值漂移。从前面我们已经知道,C0G是I类陶瓷中温度稳定性最好的一种,温度特性近似为0,满足“负-正-零”的含义。所以C0G其实和NPO是一样的,只不过是两个标准的两种表示方法(当然,容值更小、精度略差一点的C0K、C0J等也是NPO电容)。类似的,U2J对应于MIL标准中的组别代码为N750。
COG/NOP特性:ESR小,充多少电放多少电,两端电阻是G

什么是Ⅱ类陶瓷,有什么特点?Ⅱ类陶瓷电容器(Class Ⅱ ceramic capacitor)过去称为为低频陶瓷电容器(Low frequency ceramic capacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容器,因此也称铁电陶瓷电容器。这类电容器的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为稳定级和可用级。X5R、X7R属于Ⅱ类陶瓷的稳定级,而Y5V和Z5U属于可用级。X5R、X7R、Y5V、Z5U之间的区别是什么?区别主要还在于温度范围和容值随温度的变化特性上。下表提示了这些代号的含义。以X7R为例。X 代表电容最低可工作在 -55℃7 代表电容最高可工作在 +125℃R 代表容值随温度的变化为 ±15%同样的,Y5V正常工作温度范围在-30℃~+85℃, 对应的电容容量变化为+22~-82%;而Z5U 正常工作温度范围在+10℃~+85℃,对应的电容容量变化为+22~-56%.

II类电容特性:ESR大些,不能完全放完点,两端电阻是M。

<think>好的,我现在需要帮助用户解决关于低频高频应用场景下电容选型的问题。首先,我需要回顾用户提供的引用内容,确保回答准确。根据引用[1]和[2],低频噪声通常选用大电容高频噪声选小电容,但实际应用中不完全正确。引用[3]提到电容的阻抗曲线,谐振点前后的特性变化,以及并联不同容值电容的方法。 接下来,我应该分步骤解释选型原则。首先,说明电容的阻抗频率特性,即谐振点的问题。然后,讨论低频高频应用的具体推荐,比如低频用电解电容高频用陶瓷电容。同时,要提到并联组合的重要性,以及ESR和封装的影响。 需要注意用户可能存在的误区,比如单纯根据容值选择而忽略谐振频率。要强调实际应用中需考虑噪声频率是否接近电容的谐振点,以及多电容并联的优势。此外,手册参数如ESR、额定电压和温度稳定性也需要提及,帮助用户全面考虑选型因素。 最后,生成相关问题时要覆盖常见疑问,如并联原因、谐振点的重要性、电容类型差异等。确保回答结构清晰,引用正确,并且语言自然,避免使用Markdown格式,符合用户的中文需求。</think>### 低频高频应用下的电容选型推荐 #### 1. **电容的阻抗频率特性** 电容的阻抗公式为: $$ Z = \sqrt{ \left( \frac{1}{2\pi f C} \right)^2 + \text{ESR}^2 } $$ 其中,$f$为频率,$C$为容值,ESR为等效串联电阻。 - **低频时**:容抗$1/(2\pi f C)$主导,大容值电容能提供更低阻抗[^1]。 - **高频时**:电容的寄生电感(ESL)和ESR影响更显著,小容值电容因封装小、寄生电感低,更适合高频滤波[^3]。 #### 2. **低频应用推荐** - **电容类型**:铝电解电容、钽电容(容值大,适合10kHz以下低频滤波)。 - **容值范围**:10μF–1000μF。 - **原因**:低频噪声频率低,需大容值降低容抗,但需注意其ESR较高,可能需配合小电容使用[^1][^2]。 #### 3. **高频应用推荐** - **电容类型**:多层陶瓷电容(MLCC,容值小,寄生电感低)。 - **容值范围**:1nF–100nF。 - **原因**:高频噪声(如100MHz以上)需电容在谐振点附近工作,小封装电容(如0201)的谐振频率更高[^3]。 #### 4. **实际设计建议** - **并联组合**:大电容(如10μF)与小电容(如0.1μF)并联,覆盖宽频段噪声。 - **谐振点匹配**:选择容值使谐振频率接近噪声频率(如1nF电容的谐振点约在100MHz)。 - **ESR优化**:高频滤波优先选低ESR电容(如X7R/X5R材质MLCC)。 #### 5. **手册参数关键点** - **ESR与频率曲线**:参考厂商提供的阻抗-频率曲线,确保目标频段阻抗最低。 - **温度稳定性**:高频场景选NP0/C0G材质(容值稳定),避免温度漂移影响滤波效果[^3]。 --- 相关问题
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