很多系统中常见的电磁干扰 (EMI) 源为集成电路 (IC)。IC 会产生热量，这些热量必须通过散热片有效地消除。为了实现热量快速，高效地传递，应在 IC 和散热片之间使用导热界面材料 (TIM)。TIM中理想的特性是高热导率和柔软性，以此确保 IC、散热片和 TIM 之间的良好物理接触。然而研究发现，TIM 材料的电磁特性有时会增加 EMI 辐射，从而导致未能合规或设备的工作效率下降。这导致很多用户要求使用介电常数 (dk) 较低的 TIM 材料。本文将研究导热材料介电常数为什么会对 EMI 辐射产生影响。
IC 辐射
集成电路中包含多个产生辐射电磁能的电流路径。IC内的实际工作方式非常复杂，因此很难对IC的EMI 辐射进行建模仿真。电流不是恒定的，会根据 IC 工作模式的不同而有所不同。因此，为了对 IC 进行仿真，我们需要做出一些简化的假设。
源类型
辐射电磁能的所有物体或组件都可以看成天线。根据天线尺寸、形状和材料特性的不同，不同的天线将以不同的方式进行辐射。有些天线辐射效果很好，其他则不然。就用途而言，只有两种基本类型的天线：线天线和环形天线。在线天线中，导电部分呈直线形状，类似于汽车上的无线电天线。电流受到天线末端的限制。在环形天线中，电流不受限制，从能量源自由传播出去，然后再返回到能量源。我们已经发现，最能表示 IC 辐射的模型是垂直于印刷电路板 (PCB) 的圆形(环形)源。本文中有关介电常数影响的分析对于任何类型的源都非常相似。
下图所示的模型表示在 PCB 上实现的垂直环形源，电流路径从左侧的源向上通过第一个导电柱，然后穿过水平导电部分，再向下通过第二个导电柱，最后通过导电接地层返回源。在我们的模型中，天线高度为 2mm，天线长度(水平部分)会有所不同。
仿真
在我们的仿真中，我们在源上加入激励。然后，我们计算每个关注频率的总辐射功率 (TRP)。TRP 在整个 360 度球体内计算得出。高效或“良好”的天线辐射的能量将比低效或“不良”的天线多。首先，我们将计算天线长度对 TRP 的影响。我们使用的长度值等于 3、5、7 和 9mm。TRP 的计算单位是 dBm，相当于分贝标度的毫瓦。0 dBm = 1 毫瓦，-10 dBm = 0.1 毫瓦，-20dBm = 0.01 毫瓦等。
如下图所示，天线越长，总辐射功率越大。这在微波工程学中是一个一般原理，即在其他条件不变的情况下，天线的效率与其尺寸将成正比。
现在，如果将天线嵌入拥有介电常数的材料中会发生什么呢？上面模型的天线位于自由空间(真空)中，介电常数等于 1。如果它在介电常数等于 5、10 和 20 的材料内会是什么情况？
总辐射功率 (TRP) 与介电常数成正比增加。为什么会这样呢？图表的 X 轴是以 GHz 为单位的频率。随着频率的增加，波长会变得越来越短(请参阅尾注“电磁辐射”)。天线长度恒定不变。波长将在拥有介电性能的材料内压缩(变短)(请参阅尾注“什么是介电常数”？)。出于这种波长压缩，将天线嵌入具有介电常数的材料内将使天线相对变长。因此，它将辐射更高的功率。
但是实际应用中我们并没有将 IC/天线嵌入 TIM 材料中。我们将 TIM 材料置于 IC 的顶部。那会产生什么影响？
高dk TIM 材料产生的辐射功率仍然会受到很大影响。
如果添加散热片会怎样？
在实际应用中，TIM 将接触散热片。散热片通常由金属制成，在电磁学上讲，可以将其视为理想的电导体。
将模型中加入散热片时，也同样适用相同的一般结论。较高的 dk 会导致辐射释放增加。
吸波材料有帮助吗？
如果我们用 Coolzorb 类型的材料代替 TIM 材料会怎样？Coolzorb 设计用于吸收电磁辐射。这种材料能吸收多余能量吗？与大多数有关吸波材料的问题一样，答案是“不一定”。右上方的图表展示了用 Coolzorb 600 替换 TIM 的结果(为清晰起见，调整了比例)。紫色线代表 Coolzorb。请注意，频率低于 4.5 GHz 时，Coolzorb 实际上会增加辐射功率，而频率高于 4.5 GHz 时，辐射功率会降低。这里有两个相互竞争的因素。像 Coolzorb 这样的吸波材料拥有非常高的材料参数(介电性能和磁导率)。如上所述，该特性将增加来自源的辐射功率。吸波材料也将吸收能量。这将降低辐射功率。
吸波材料的衰减将随频率的增加而增加(请参阅尾注“吸波材料特性”)。对于体积恒定的吸波材料来说，吸收量将随频率的增加而增加。在此模型中，在低频时，因材料参数高而导致的辐射增加大于因吸波而导致的辐射减少，因此辐射功率会有所增加。在较高频率下，吸波的影响要大于高材料参数，因此辐射功率会有所降低。
添加散热片会稍微改变结果。现在，Coolzorb 的总辐射功率与 TIM 大概相同(dk = 20 且频率约为 3.5 GHz)。频率高于 3.5 GHz 时，Coolzorb 的总辐射功率明显降低。这可能是由于散热片将能量略微限制在材料内部，而 Coolzorb 的吸波特性则可以衰减能量。
请注意，这里的结果是一般趋势。我们不应该将 3.5 GHz 作为 Coolzorb 和标准 TIM 材料性能的分界点。不同的天线长度、TIM 尺寸、厚度等因素将产生不同的定量结果，但定性结果将不会改变。现实情况是，除其他配置外，IC 源还将包含多个电流源和环路大小，因此一般情况下，Coolzorb 改善性能的频率点会有所不同。
总结
来自 IC 的电磁辐射可以使用垂直方向的环形源进行仿真。事实表明，这种类型的源可以最好地模拟 IC 的实际辐射。在介电常数 (dk) 大于 1 的材料中嵌入源，与真空中的天线相比可增加总辐射功率 (TRP)。TRP 随着 dk 的增加而增加。如果源刚好在 dk > 1 的材料下方，则仍会出现这种现象, 就像在 TIM 应用中一样。该现象归因于 TIM 材料中的波长压缩。这种波长压缩相当于增加了源的有效尺寸，进而提高了辐射功率。
具有吸波特性的 TIM (Coolzorb) 可以减少总辐射量，但由于波长物理体积波长相比较小，因此在较低的频率下影响有限。在较高的频率下，Coolzorb 在减少辐射方面的性能将得到显著改善。
莱尔德导热材料
莱尔德在热管理和 EMI 管理方面拥有丰富经验，能够使用独特的系统级方法解决问题，并掌握热和 EMI 的相互作用。我们可提供先进的系统建模和仿真以及其他多功能材料，来减少EMI 和导热设计的问题。如果您需要介电性能较低的导热材料，莱尔德可提供各种导热率且介电常数值较低的产品(在较高频率下进行测量)。通过选择以下一种材料，设计工程师可以确保系统的 EMI 辐射不会因添加导热材料而提高。介电常数低的材料如下表所示。
吸波材料特性
顾名思义，吸波材料可以吸波或减弱电磁能。吸波材料往往具有较高的介电常数和磁导率，且损耗分量较高(介电性能/磁导率的虚部)。用于区分吸波材料的常用指标称为“衰减”，其根据材料参数计算得出并以 dB/cm 为单位进行报告。该指标用于表示波在材料内传播每单位距离的衰减程度。数值越高表示吸波越多。
上图显示了 Coolzorb 600 在最高 90 GHz 时的衰减情况。请注意，衰减将随频率的增加而增加。乍一看，您可能会推断出材料的固有吸波性会变得越来越强(随着频率的增加，介电性能和磁导率的损耗因数值越来越高)，但事实并非如此。实际上，固有损耗值将随着频率的增加而减小。衰减随频率升高而增加完全是由于波长随频率升高而缩短造成。
介电性能(电)和磁导率(磁)的损耗因数表示每传播一个波长的损耗。衰减指的是每传播一厘米的损耗。如果我们在较短的距离中塞进更多波长，则衰减(以 dB/cm 为单位)将增加。
尽管吸波材料在低频率 (<3 GHz) 下具有很高的损耗因数，但在实际应用中，吸波材料可能没有足够的体积来实现可接受的吸波效果。随着频率的增加，这将不再是一个问题。
电磁辐射
电磁辐射的来源是电流，而电流是由于外加电压或电场而运动的电子。电子很容易穿过金属等导电材料。
电磁辐射来自于交流电。当电子流方向在导体中来回转换(交替)时，会产生交流电。电流每秒转换方向的次数称为频率。常用频率为 MHz(兆赫兹 - 百万个周期/秒)和 GHz(千兆赫兹 - 十亿个周期/秒)，此类电流转换的速度非常快。
电磁辐射在真空中以光速传播。光实际上是高频电磁辐射的一种形式。可见光的频率约为 500,000 GHz。
电磁辐射在电场 (E) 和磁场 (H) 交变的情况下传播。电场和磁场的方向以正弦波的形式交替出现。
真空中电磁能量的波长可以通过将传播速度(光速)除以频率来进行计算。光速为 3x1010 厘米/秒。如果频率为 1 GHz(或 1x109 周期/秒)，则波长为
快速计算波长的简便公式是
什么是“介电常数”
电磁能由电场分量和磁场分量组成。在质存在的情况下，这两个场都将改变。衡量物质对电场影响的指标称为“介电性能”。介电性能是一个“复”数，意味着它由两个部分组成，分别称为“实部”和“虚部”。介电常数是介电性能的实部。
介电常数的主要影响是波长压缩。回想一下，电磁波的波长是由波速(光速)除以频率而得出的。当波进入材料内部后，便会减慢速度。这导致材料内部的波长变短。
介电性能的虚部是衡量材料中能量损失或吸波的指标。良好的吸波材料，其虚介电性能的数值较高。
请注意，还有一个类似的材料属性，用于表示材料对磁场的影响。该属性称为“磁导率”。磁导率也拥有实部(磁常数)和虚部(损耗或吸波)分量。
“介电”吸波材料不会对磁场产生任何影响(磁导率 = 1)。其将减弱或吸收电场能量。“磁性”吸波材料将影响并减弱电场和磁场。
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