mos管工作原理_MOS管充放电原理

本文详细介绍了MOS管的工作原理,强调了Cgs、Cgd、Cds寄生电容在MOS管开通和关断过程中的作用。内容包括MOS管的充放电时间常数、驱动波形的畸变及其防止措施,提供了参考电路以实现快速开关,并提醒在设计中注意添加放电电阻以避免静电击穿和设备损坏。
摘要由CSDN通过智能技术生成

一.基本原理

MOS管本身有Cgs,Cgd,Cds寄生电容,这是由制作工艺决定的。MOS管的开通和关断其实就是对Cgs充放电的过程。开启时通过栅极R1电阻对Cgs充电,充电时间常数=R1*Cgs。所以R1较大的话,时间常数就大了。这样如果开关频率很高的话,在脉宽的时间内管子很可能无法正常导通。

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一般用方波来驱动MOS管,由于Cgs的电容效应,驱动波形发生畸变,如上图。所以gs波形的上升沿和下降沿会变缓,有时会产生振荡,所以在布板的时候,驱动环路一定要短,驱动芯片周围尽可能敷铜用地包起来,防止产生不必要的干扰。

二.参考电路

为了快速开通和关断,提供以下两种电路作为参考:

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当OUT为高,由于D2反相,只能通过R1向MOS管充电,

当OUT为低,gs电容通过R2,D2向驱动放电。

R1,R2的值一般在10R左右,可根据测试的驱动波形适当调整参数。

下图原理分析类似

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