一.基本原理
MOS管本身有Cgs,Cgd,Cds寄生电容,这是由制作工艺决定的。MOS管的开通和关断其实就是对Cgs充放电的过程。开启时通过栅极R1电阻对Cgs充电,充电时间常数=R1*Cgs。所以R1较大的话,时间常数就大了。这样如果开关频率很高的话,在脉宽的时间内管子很可能无法正常导通。
一般用方波来驱动MOS管,由于Cgs的电容效应,驱动波形发生畸变,如上图。所以gs波形的上升沿和下降沿会变缓,有时会产生振荡,所以在布板的时候,驱动环路一定要短,驱动芯片周围尽可能敷铜用地包起来,防止产生不必要的干扰。
二.参考电路
为了快速开通和关断,提供以下两种电路作为参考:
当OUT为高,由于D2反相,只能通过R1向MOS管充电,
当OUT为低,gs电容通过R2,D2向驱动放电。
R1,R2的值一般在10R左右,可根据测试的驱动波形适当调整参数。
下图原理分析类似