大容量电池充放电管理模块MOSFET选型及应用

锂离子电池包内部的电芯和输出负载之间要串联功率MOSFET，使用专用的IC 控制MOSFET 的开关，从而对电芯的充、放电进行管理。在消费电子系统中，如手机电池包、笔记本电脑电池包等，带有控制IC、功率MOSFET 管以及其他电子元件的电路系统称为电池充放电保护板（protection circuit module，PCM）。离子电池的容量从早期的600 mA·h， 到现在高达10 000 mA·h，为了实现更快的充电速度，降低充电时间，通常采用提高电流、使用大电流充电的快充技术，另外，大容量锂离子电池在生产线和使用过程中，还有一些特定的技术要求，所有这些因素都对大容量锂离子电池包充、放电管理的功率MOSFET 提出了严格的技术设计挑战。[1-2]

1、功率MOSFET的配置方式

在电池充放电保护板PCM 中，充、放电分别使用1 颗功率MOSFET，背靠背串联起来。MOSFET 背靠背串联的方式有2 种：1 种是2 颗漏极连接在一起；另1 种是2 颗源极连接在一起。

MOSFET 放置的位置也有2 种方式：①放在电池的负端，也就是所谓的“地端”、低端（low side）；②放在电池的正端，高端（high side）。MOSFET 连接的不同方式以及放在不同位置各有优缺点，对应系统的不同要求。

PCM 需要低的导通电阻，同时要控制成本，通常采用N 沟道MOSFET。P 沟道率MOSFET 放在高端驱动简单灵活，少量的应用也会采用。但是，其导通电阻很难做低，成本高，选择和供应厂家也受限，因此，N沟道MOSFET 依然是主流的方案。如果MOSFET 有非常严格的体积和尺寸要求，需要将2 个MOSFET 集成到1 个芯片上，通用功率MOSFET 是垂直结构，衬底是漏极D，因此，使用漏极的背靠背结构就可以采用这样的工艺。

2颗N 沟道功率MOSFET 放在地端，或电源端（高端），漏极背靠背连接在一起，是PCM 常用的2 种方案，如图1 所示。前者驱动简单，后者因为MOSFET 的源极电压浮动变化，需要2 个充电泵进行浮驱。