栅极电阻与泄放电阻

栅极与源极之间加一个电阻,这个电阻起到什么作用?

一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S;

第一个作用好理解,这里解释一下第二个作用的原理——保护栅极G-源极S:场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把这些少量的静电泻放掉,他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用。

看一个具体的例子:MOS管在开关状态工作时,Q1、Q2是轮流导通,MOS管栅极在反复充、放电状态,如果在此时关闭电源,MOS管的栅极就有两种状态:一种是放电状态,栅极等效电容没有电荷存储;另一个是充电状态,栅极等效电容正好处于电荷充满状态,如下图a所示。虽然电源切断,此时Q1、Q2也都处于断开状态,电荷没有释放的回路,但MOS管栅极的电场仍然存在(能保持很长时间),建立导电沟道的条件并没有消失。这样在再次开机瞬间,由于激励信号还没有建立,而开机瞬间MOS管的漏极电源(V1)随机提供,在导电沟道的作用下,MOS管立刻产生不受控的巨大漏极电流Id,引起MOS管烧坏。为了避免此现象产生,在MOS管的栅极对源极并接一只泄放电阻R1,如下图b所示,关机后栅极存储的电荷通过R1迅速释放,此电阻的阻值不可太大,以保证电荷的迅速释放,一般在五千欧至数十千欧左右。

灌流电路主要是针对MOS管在作为开关营运用时其容性的输入特性,引起“开”、“关”动作滞后而设置的电路,当MOS管作为其他用途,例如线性放大等应用时,就没有必要设置灌流电路。

### MOSFET 栅极-源极电阻取值标准建议 #### 影响因素分析 MOSFET栅极-源极之间的电阻主要影响器件的开关速度以及稳定性。当考虑MOSFET处于ON状态时,合适的栅极电阻能够控制上升时间和下降时间,进而减少电磁干扰(EMI)[^2]。 对于某些类型的MOSFET而言,适当设置栅极电阻还可以调整阈值电压,这有助于优化MOSFET的工作特性,使其更易于达到所需的开启和关闭条件[^1]。 #### 开关过程中的考量 在MOSFET由导通转为截止的过程中,较小的泄放电阻有利于加快栅极电荷释放的速度,确保更快地进入截止区。然而,如果该电阻过低,则可能因为线路寄生电感引发谐振现象;为此,在实际设计中常常会在栅极电阻旁并联一个高速二极管(如1N4148),有时还会附加一个小电阻来抑制可能出现的反向谐振尖峰。 #### 实际应用指导 针对具体应用场景下的最优参数选择,虽然存在一些经验性的推荐值——比如电阻大约为10Ω、电容约为2.2nF作为初步设定起点[^3],但最终仍需依据具体的PCB布局情况及其带来的寄生效应来进行微调验证。此外,考虑到不同工作环境可能导致的变化,务必进行全面的实际测试以确认最佳配置方案。 ```python # Python代码用于模拟简单情况下MOSFET栅极电阻对波形的影响 import numpy as np from scipy import signal import matplotlib.pyplot as plt def simulate_mosfet_waveform(Rg, Cgs): t = np.linspace(0, 1e-6, num=1000) Vg = lambda t: (1 - np.exp(-t/(Rg*Cgs))) * 5 v_values = [Vg(ti) for ti in t] fig, ax = plt.subplots() ax.plot(t*1e6, v_values) ax.set_xlabel('Time ($\mu$s)') ax.set_ylabel('Gate Voltage (V)') ax.grid(True) simulate_mosfet_waveform(10, 2.2e-9) # 使用默认的经验值进行仿真 plt.show() ```
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