multisim怎么设置晶体管rbe_multisim中三极管参数

Is=14.34f

反向饱和电流。

Xti=3

饱和电流的温度指数

Eg=1.11

硅的带隙能量

Vaf=74.03

正向欧拉电压

1

Bf=255.9

正向电流放大系数

Ne=1.307

B--E

极间的泄漏饱和发射系数

+

Ise=14.34f

B--E

极间的泄漏饱和电流

Ikf=.2847

正向

BET

A

大电流时的滑动拐点

Xtb=1.5

电流放大系数的温度系数

Br=6.092

理想反向电流放大系数

Nc=2

B--C

间的泄漏发射系数

Isc=0

Ikr=0

反向

BETA

(

R

)大电流时的滑动拐点

Rc=1

集电极电阻

+

Cjc=7.306p

B-E

结零偏压时的耗尽电容。

Mjc=.3416

B-C

结指数因子

Vjc=.75

B-C

结内建电势

Fc=.5

正向偏压时的耗尽电容系数

Cje=22.01p

B-E

结零偏压时的耗尽电容

Mje=.