mfconcontextmenu不能在edit区响应_光辐射热效应下具有超宽波段响应的柔性SnSe光电探测器...

宽波段的光电探测器在成像、光通信与远程传感等领域均有着重要的应用，受到了广泛的研究关注。与传统的探测器材料，如 Si 、 GaAs 及 HgCdTe 等相比，新兴的二维光电材料有着极优异的电输运性能和良好的光学、力学性能，有望被大规模应用于新一代柔性光电器件中。然而，多数二维材料的带隙较宽，不能响应红外或更高波长的光，尚难实现宽波段的光探测；其他窄带隙材料也受到各种因素的制约，如石墨烯的吸光能力较差，黑磷在通常环境下难以稳定存在。 最近，热载流子辅助的光辐射热效应引起了研究者的兴趣。通过光照升温，材料中激发的热载流子(非光激发电子 - 空穴对)会对长波段的红外光有着显著的响应。因此，通过光电导和光辐射热的协同作用，可以在二维材料中实现宽谱的光电响应。基于此，中国石油大学的 Hanyang Xu 等人设计了大面积的柔性 SnSe 光电探测器，室温下对 10.6 μm 的中红外波段光也有着强烈的响应，远超 SnSe 的吸收边(约 1265 nm )。

实验中，为获得具有较高结晶度的薄膜，利用磁控溅射在(100)取向的NaCl单晶上生长SnSe，控制基底温度为400 °C，薄膜厚度由沉积时间决定。沉积后，温度保持不变，将SnSe薄膜原位退火处理30 min，进一步提高结晶质量。如图1(a)，NaCl的(022)面与SnSe的(001)/(010)面晶格较适配，因而有利于SnSe的取向生长，进一步的XRD与TEM表征也很好地验证了SnSe的结构。

图1. SnSe薄膜的结构表征。(a)SnSe与NaCl的晶格匹配关系示意图。(b)NaCl上生长SnSe薄膜的XRD结构。内图为层状SnSe晶体结构的示意图。(c)SnSe薄膜转移至铜箔上后的TEM图像及选区电子衍射(SAED)条纹。(d)放大后SnSe的HRTEM图像。(e,f)薄膜中Sn与Se的EDX能谱分析 。 将制成的 SnSe 薄膜转移至 PET 基底上，以 Pd 电极连接制成光电探测器器件。如图 2 ( b )，在波长为 404 nm 时， I-V 曲线表现出非线性特征，表明电极与 SnSe 间的接触为肖托基接触。增大激光功率，光电流相应增加，光电流 I 与激光功率 p 的关系可表示为 I=kp^θ ，对于光电导型探测器， θ 通常小于 1.0 。在该器件中， θ 约为 0.45 ，表明 404 nm 波长下，光电流来自于 SnSe 中激发的电子 - 空穴对。此时，器件的响应与回复时间分别约为 1.7 s 和 4.7 s 。改变激光波长，在 850 nm 波段仍能观察到明显的光响应特性。此时， θ 参数逐渐增至 0.92 ，表明可能存在另一种促进光响应的机理在协同作用。进一步增大激光波长，在 10.6 μm 的中红外区仍能产生光响应，此时光辐射热效应起到了主导作用。由图 3 ( c )，在光辐射热效应作用下，器件的响应与回复时间仅为 0.23 s 与 0.27 s 。光辐射热与光热电效应的主要区别在于，光辐射热效应只在存在外界偏压的状态下改变电阻态与电流，电子由热激发产生；而光热电效应可以在无偏压态下产生电流。

图4是对该器件柔性和稳定性的测量结果。如图4(a)，经历50-200个大角度弯折循环后，器件的光响应性能仍基本稳定不变，具有良好的鲁棒性。综上，外延生长的SnSe薄膜制成的柔性SnSe/PET光电探测器具有易于制备、宽波段探测、性能稳定等诸多优势，在可穿戴器件领域有着无限的应用潜力。

图2. 404 nm激光下SnSe/PET探测器的光响应特性。(a)器件结构示意图。(b)不同光照功率下的I-V曲线。内侧为器件实物图与沟道区域的放大图像。(c)电压恒为20 V时，不同激光功率下的光电流。(d)20 V电压下，不同激光功率对应的动态光响应曲线。(e)I_PE，I_TR，I_PE/ I_TR随入射光功率的变化关系。(f)器件的响应-回复曲线。

图3. 光响应对波长的变化关系。(a)波长为850 nm时，不同入射功率下的动态响应曲线。(b)850 nm波长时，不同功率下的光电流变化曲线。(c)波长为10.6 μm时，不同入射功率下的动态响应曲线。(d)10.6 μm波长时，不同功率下的光电流变化曲线。(e)和(f)分为波长为404，850，1550 nm与10.6 μm时，响应度与探测度随激光功率的变化关系。

图4. 柔性探测器的稳定性测试。(a)在不同弯曲循环后测试的I-V曲线，选用波长为1550 nm。(b)在不同弯曲循环次数后的光响应曲线。   相关论文： Hanyang Xu, Lanzhong Hao, Hui Liu, Shichang Dong, Yupeng Wu, Yunjie Liu, Banglin Cao, Zegao Wang, Cuicui Ling, Shouxi Li, Zhijie Xu, Qingzhong Xue, Keyou Yan. Flexible SnSe Photodetectors with Ultrabroad Spectral Response up to 10.6 μm Enabled by Photobolometric Effect. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2020, 12, 31, 35250-35258.