vb中mshflexgrid每格宽度_紫外可见近红外光谱实验技术（一）紫外可见近红外分光光度计（UVVISNIR） 在半导体材料结构分析中的应用...

简介： 材料的结构影响其性能，对半导体材料的结构进行表征，可以通过其电子能带结构解析材料的光电性能，因此对半导体材料的能带结构测试十分关键。本文简述了紫外可见近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)的基本原理、仪器结构及其在半导体材料带隙分析中的应用。

1. UV-VIS-NIR仪器简介  

紫外可见近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)可覆盖UV-VIS-NIR全波段光谱范围，实现紫外、可见光和近红外波段的连续扫描，可测量固体/液体样品在紫外-可见-近红外范围内的特征吸收，可用于研究玻璃镀膜样品吸收/透射或反射光谱，还可研究粉末样品在整个紫外可见近红外范围的吸收谱图，广泛应用于半导体、光学元件、建筑材料、新型材料等行业。

图1 电磁波谱及紫外可见近红外光区

1.1 基本原理

● 能级跃迁理论

分光光度法从宏观来看是利用物质对不同波长光的选择吸收特性而建立的分析方法。从微观角度，基于分子内电子的跃迁而产生吸收光谱。原子或分子的外层电子在未受光照射之前，电子能量均处于最低能级，称之为基态，当电子吸收光的辐射，产生电子能级的跃迁，形成吸收光谱。电子跃迁的能级差决定了吸收光谱的波长及位置，因此吸收曲线(峰形、峰位、峰数)可以作为物质定性