7价 半导体掺杂_半导体材料能带测试及计算

半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E_g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。   

图1. 半导体的带隙结构示意图

在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)：

1. 紫外可见漫反射测试及计算带隙E_g；

2. VB XPS测得价带位置(E_v)；

3. SRPES测得E_f、E_v以及缺陷态位置；

4. 通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势；

5. 通过电负性计算得到能带位置.

图2. 半导体的带隙结构常见测试方式

一、紫外可见漫反射测试及计算带隙Eg

1.1.  紫外可见漫反射测试

1)制样：

背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO₄粉末(由于BaSO₄粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试)，然后用盖玻片将BaSO₄粉末压实，使得BaSO₄粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。

样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO₄粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。

图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图

2)测试：

用积分球进行测试紫外可见漫反射(UV-VisDRS)，采用背景测试样(BaSO₄粉末)测试背景基线(选择R%模式)，以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。

1.2.  测试数据处理

数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。