et结波导口转换_基于SiNSi双层光波导的16x16光开关

本文介绍了日本产业技术研究院利用SiN-Si双层光波导实现的16x16光开关,通过降低crossing结构的插损,解决了传统硅光开关的损耗问题。文中详细阐述了双层波导结构的设计、定向耦合器的原理及其在多路光开关系统中的应用,展示了低插损和高串扰抑制的特性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

这篇笔记介绍硅光芯片的另一个应用——光开关(optical switch), 日本产业技术研究院(AIST)最近利用SiN-Si构成的双层波导,实现了16*16的光开关,相关文章发表于Opt. Exp. 27, 21131(2019)。

硅光光开关的主要构成单元包括Mach-Zehnder干涉器和crossing结构。对于N个输入端口的光开关,crossing结构的数目为(N-1)^2。而一般硅波导的crossing的插损约为0.05dB,做一个简单的估算,当N=32时,crossing结构的总插损约为48dB,对整个系统的link budget影响非常大。AIST研究组的出发点正是基于此,他们利用双层波导结构,大大降低了crossing结构的插损,系统的结构示意图如下图所示。

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(图片来自文献1)

经过一定的数值仿真计算,SiN波导的尺寸取为1um*0.4um,SiN波导层与Si层的间距取为1.5um, crossing结构的插损仿真值为0.0005dB, Si波导中的串扰小于-45dB, 仿真结果如下图所示。基于这一结构,当光分别在上下两根波导中传输时,彼此不受影响,有点像两条方向垂直的高架路。

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