集成电路制造中工艺废气,最难处理、排放最多的就是化学气相沉积,简称CVD。比如说在某种型号DRAM的内存芯片制作中(将近四百步的制作工序),CVD的有毒有害废气排放总量占据总排放量的三分之一,并且随着技术的进步,电路芯片的集成化会越来越高,相对应的CVD产生的废气会越来越多。这些气体如果未经尾气处理设备净化达标,就直接排放,便会对环境和周边人员生命安全造成很大的危害。
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集成电路
CVD的废气种类:
CVD具体指的是,气态化学材料在硅片沉积成薄膜的一个过程,主要用于代替或者半导体的制造,还能够制作成各种型号的薄膜层。
CVD生产的工艺废气大致可为没有反应的输入气体和反应生成物两种,其中反应生成物又由中间生成物和反应生成物两种。有害气体的成分复杂且含量极高,有较强的毒性和腐蚀性。CVD工艺废气中有毒且腐蚀性强的气体有HCI和CIF3、HF和WF6,自燃性气体有SiH4和PH3;化合物的气体有CF4和SF6、C3F8和NF3以及C2F6等。
在这些废气当中的特殊气体,如有毒、腐蚀性强的气体的危害是非常大的,自燃性气体同样有着很大的安全隐患;同时其中的化合物的气体大部分都是能够造成温室效应的气体,因此在现在可持续发展和节能减排的要求下,一定要让尾气处理设备进行处理才能进行排放。