数字电子技术第十一_数字电子技术——门电路

3.1 概述

1. 门电路

是用以实现逻辑关系的电子电路，与基本逻辑关系相对应。门电路主要有：与门、或门、与非门、或非门、异或门等。

2. 高低电平

高电平：数字电路中较高电平代数值的范围。

低电平：数字电路中较低电平代数值的范围。

3. 正负逻辑

正逻辑：用高电平代表1、低点平代表0。在数字电路中，一般采用正逻辑系统。

负逻辑：用高电平代表0、低点平代表1。

图1

4. 集成电路

IC(Integrated Circuits)：将元、器件制作在同一硅片上，以实现电路的某些功能。

SSI(Small-Scale Integration)：£ 10个门电路。

MSI(Medium-Scale Integration)：10~100个门电路。

LSI(Large-Scale Integration)：1000~10000个门电路。

VLSI(Very Large-Scale Integration)：³ 10000个门电路。

3.2 半导体二极管门电路

图2

二极管加正向电压时导通，伏安特性很陡、压降很小(硅管为0.7V，锗管为0.3V)，可以近似看作是一个闭合的开关。二极管加反向电压时截止，反向电流很小(nA级)，可以近似看作是一个断开的开关。把uD<UT=0.5V看成是硅二极管的截止条件。

图3

在低速脉冲电路中，二极管开关由接通到断开，或由断开到接通所需要的转换时间通常是可以忽略的。然而在数字电路中，二极管开关经常工作在高速通断状态。由于PN结中存储电荷的存在，二极管开关状态的转换不能瞬间完成，需经历一个过程。

tre=ts+tf 叫做反向恢复时间。该现象说明，二极管在输入负跳变电压作用下，开始仍然是导通的，只有经过一段反向恢复时间tre之后，才能进入截止状态。由于tre的存在，限制了二极管的开关速度 。

图4

图5

3.3 CMOS门电路

MOS门电路：以MOS管作为开关元件构成的门电路。

MOS门电路，尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点，得到了十分迅速的发展。

MOS管有NMOS管和PMOS管两种。当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管(意为互补)。MOS管有增强型和耗尽型两种。在数字电路中，多采用增强型。

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Ø扇出系数

逻辑门所能够驱动同类门(输入端)的个数。

图12

4. CMOS反相器的动态特性

图13

Ø传输延迟 : 逻辑电路的输入变化到其输出发生相应变化所间隔的时间。

图14

Ø功耗

v静态功耗: 逻辑电路输出状态不发生变化时的功耗。

大多数CMOS电路具有很低的静态功耗，所以在很多低功耗的场合采用CMOS集成电路。

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