注:由于门电路不在博主考试范围,故这一章暂时不再更新
门电路
半导体器件在开关状态下的工作特性
COMS、TTL门电路
工作原理、逻辑功能、输入/输出特性
逻辑门电路基本概念
- 门电路:实现基本运算、复合运算的单元电路,如与门、与非门、或门…
- 门电路中以高/低电平表示二值逻辑状态的1/0
- 正逻辑:高电平表示1;低电平表示0
(反逻辑则相反)设计中采用的逻辑要统一 - 电平信号(高/低电平)不代表一个电压值点,而是电压允许范围的一个阈值
获得高/低电平的基本原理
- 断开开关,输出高电平(Vcc)
闭合开关,输出低电平(接地) - 限流电阻:电阻过小不能限流;电阻过大带载能力差
- 缺陷:静态功耗
当Vo空载,开关闭合时,整个电路仍有电流,为Vcc/R
只要开关闭合,就会有静态功耗,为Vcc²/R
且当R比较小时,静态功耗会比较大
半导体器件开关特性
1. 二极管的开关特性
利用“单向导电性”
外加正向电压时导通,外加反向电压时截止
相当于一个受外加电压极性控制的开关
- 恒压降模型特性曲线
保留导通压降,不计二极管导通内阻
- 二极管开关波形
反向恢复时间:正向电压—>反向电压
某一时刻,外加电压由高电平跳到低电平
由于PN结处还聚集了一定量的电荷,所以会产生一个反向电流,再衰减到0
2. 三极管的开关特性
利用“截止区;饱和区”
双结反偏截止区;双结正偏饱和区
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三极管结构 与 特性曲线
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三极管的开关等效电路
- 截止状态,双结反偏(都截止了)获得高电平
输入Vi很小,发射结不导通,处于截止状态。bce相当于断路,Rc上无电流,Vo直接接Vcc - 饱和状态,双结正偏(都导通了)获得低电平
输入Vi比较大,满足导通压降。调整Rb大小使 ib比较大,让三极管工作在饱和区。饱和区中ic很大,Uce很小,其等效于一个闭合开关,Vo直接接地
- 截止状态,双结反偏(都截止了)获得高电平
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输入为低电平——双结反偏——输出高电平
输入为高电平——双结导通——输出低电平
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三极管动态开关波形
3. MOS管的开关特性
利用“截止区”,“可变电阻区”
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MOS管结构 与 特性曲线
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①加Ugs形成的电场,排斥P型的空穴,吸引其中的电子,从而在ds间形成沟道(反型层),此时Ugs=Ugs(th)
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②加Uds,使聚集的电子流动,形成漏电流 iD
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截止区
Ugs<Ugs(th),iD=0,MOS管相当于开关断开状态 -
可变电阻区
Ugs>Ugs(th),形成导电沟道
随着Uds增加,iD呈线性增大,斜率为MOS管电阻导数 -
恒流区
Uds再增加,iD几乎无变化
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MOS管的开关等效电路
MOS管的截止电阻:R(OFF)>10^9Ω
MOS管的导通内阻:R(ON)<10^3Ω
- 截止区,Ugs<Ugs(th)
当负载RD<<R(OFF),则输出高电平VDD
DS间相当于一个断开的开关 - 可变电阻区,vi满足开启电压,Ugs>Ugs(th),iD增加
vi继续升高,R(ON)变小
当负载RD>>R(ON),则输出低电平0
DS间相当于一个闭合的开关
- 截止区,Ugs<Ugs(th)
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输入为低电平——MOS管截止——输出高电平
输入为高电平——MOS管导通——输出低电平
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MOS管的四种类型
总结:三种开关特性
分立元件门电路
1. 二极管与门电路
电流永远走电势落差最大、阻抗最小的支路
通常二极管导通之后,如果其阴极电位是不变的,那么就把它的阳极电位固定在比阴极高0.7V的电位上;如果其阳极电位是不变的,那么就把它的阴极电位固定在比阳极低0.7V的电位上,人们把导通后二极管的这种作用叫做钳位。
根据二极管的单向导通性质,图中当输入高电平时,二极管截止,输入低电平时,二极管导通
①当A、B只要有一个输入为低电平(0V)时,其对应其中一个二极管导通(Vcc——>D),输出Y为二极管导通电压0.7V
②当A与B都输入低电平(0V)时,其对应二极管都导通,输出Y为二极管导通电压0.7V
③当A、B都输入高电平(3V)时,其对应的二极管都截止(Vcc——>Y),二极管阳极电压被钳位在3+0.7(加的0.7是由于二极管阴极输入低电平0V固定),所以输出电压Y为3.7V
缺陷:输入与输出的高低电平发生了偏移
2. 二极管或门电路
①当A、B只要有一个输入为高电平(3V)时,其对应其中一个二极管导通(Vi——>Y),输出电压Y被钳位在2.3V
②当A、B都输入低电平(0V)时,其对应的二极管都截止(地——>Y),所以输出电压Y为0V
③当A与B都输入高电平(3V)时,其对应二极管都导通,二极管阴极电压被钳位在3-0.7(减0.7是由于二极管阳极输入高电平不变)输出电压Y为2.3V
缺陷:输入与输出的高低电平发生了偏移
3.三极管非门(反相器)
4.待补充…
集成电路的发展历史及现状
非常抱歉,由于课时安排,这一单元被跳过了,所以暂时无法更新…