cmos存储器中存放了_天津大学姚建铨院士,张雅婷副教授JMCC:具有宽光谱调控特性的阻变存储器...

天津大学姚建铨院士和张雅婷副教授团队研究了基于硫化铅量子点的阻变存储器,展示其高速、稳定且具有宽光谱调控的特性,为高性能存储器和光电存储技术提供了新方案。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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【引言】

存储器是计算机中数据存放的主要介质。随着5G时代到来,带动人工智能、物联网、智慧城市等应用市场发展并向存储器提出多样化需求,加上传统存储器市场价格变化等因素,新型存储器将在市场发挥越来越重要的作用。因此具有存储密度更高,读写速度更快,功耗更低的新型存储技术成为时下研究的重点。阻变存储器是利用薄膜材料在电激励条件下,其电阻在不同阻态(高阻态和低阻态)之间的互相转换来实现数据存储的一种存储技术。它具有单元尺寸小、多级存储、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。因此,其有望成为下一代重要的非易失性存储器。然而随着存储器件尺寸的不断减小,存储密度几乎达到“摩尔定律”极限。在这种情况下,研究存储器的多级存储特性,以及光电调控特性,不仅可以实现多级存储的功能,更为光电结合或者全光存储提供新的方法。所以,研究阻变存储器的光调控特性非常有必要。但是现有阻变存储器仍有一些科学问题需要解决,首先是阻变存储器的参数均匀性和可靠性问题比较严重,器件稳定性仍需改善;其次隐藏在众多阻变现象背后的电阻转变机理仍不够清晰。因此,深入研究阻变机理和开发具有高稳定性的阻变存储器至关重要。

【成果简介】

近期,针对上述技术问题和挑战,天津大学姚建铨院士和张雅婷副教授等发表了题为“Broadband

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