【引言】
存储器是计算机中数据存放的主要介质。随着5G时代到来,带动人工智能、物联网、智慧城市等应用市场发展并向存储器提出多样化需求,加上传统存储器市场价格变化等因素,新型存储器将在市场发挥越来越重要的作用。因此具有存储密度更高,读写速度更快,功耗更低的新型存储技术成为时下研究的重点。阻变存储器是利用薄膜材料在电激励条件下,其电阻在不同阻态(高阻态和低阻态)之间的互相转换来实现数据存储的一种存储技术。它具有单元尺寸小、多级存储、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。因此,其有望成为下一代重要的非易失性存储器。然而随着存储器件尺寸的不断减小,存储密度几乎达到“摩尔定律”极限。在这种情况下,研究存储器的多级存储特性,以及光电调控特性,不仅可以实现多级存储的功能,更为光电结合或者全光存储提供新的方法。所以,研究阻变存储器的光调控特性非常有必要。但是现有阻变存储器仍有一些科学问题需要解决,首先是阻变存储器的参数均匀性和可靠性问题比较严重,器件稳定性仍需改善;其次隐藏在众多阻变现象背后的电阻转变机理仍不够清晰。因此,深入研究阻变机理和开发具有高稳定性的阻变存储器至关重要。
【成果简介】
近期,针对上述技术问题和挑战,天津大学姚建铨院士和张雅婷副教授等发表了题为“Broadband