DRAM失效机制和故障模型

目录

一、DRAM功能模型

二、DRAM常见失效机制

三、DRAM常见故障模型

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一、DRAM功能模型

 

二、DRAM常见失效机制

1、SRAM常见失效机制：

• 访问失效：在读操作时，弱电流访问晶体管操作或弱电流下拉晶体管操作会导致位线放电
• 翻转读失效：在读操作时，较强电流访问晶体管操作或者弱电流下拉晶体管操作会导致SRAM单元的内容产生干扰
• 写失效：在写操作时，较强电流上拉晶体管操作会把交叉耦合翻转器的跳变点调成高电压，导致写操作失败
• 保持失效：即使在SRAM单元未被访问的时候，它保存的内容出现异常

2、灵敏放大器失效

3、地址的解码器失效

地址解码器的延时也会受到单个晶体管阈值电压偏差的影响。地址解码器的延时偏差会导致访问SRAM单元的时间缩短。这将直接引起对SRAM单元的访问失效或读失效。地址解码器失效的概率可以通过解码器的统计延时分布得出。

 

三、DRAM常见故障模型

故障类型：故障类型之间其实有很多是相重合的，但是我们针对某一种表现表现给予了具体的定义。只要符合这种定义，就可以称该类型的故障，并不需要就是究竟是否为对应故障。

1、地址解码器故障

（1）AF（Address-Decoder Faults）

一般有以下几种错误类型

• Fault1：对应地址没有可访问的cell单元
• Fault2：对应cell单元没有可以被访问的地址
• Fault3：一个地址可以访问多个cell单元
• Fault4：一个cell单元可以被多个地址访问

 

 

2、读写逻辑模块故障

（1）BF（Bridge Fault）- 桥接故障(短路故障)

共有两种：

• Fault1：对地短路
• Fault2：对电源短路

区分方法：测试算法中需要写入不同的pattern值来进行判断

（2）SOF（Stuck-Open Fault）- 开路故障

cell单元无法被访问

 

3、存储单元阵列故障

（1）SAF（Stuck-At Fault）- 固定故障

SAF：单元/连线 的逻辑值总为0或者1的故障，并且故障的逻辑值不变

（2）TF（Transition Fault）- 转换故障

TF：转换故障是SAF的一种特殊情况，当写数据时，某一存储单元失效使得 0=>1 或者 1=>0 的转变不能发生。

（3）CF（Coupling Fault）- 耦合故障

CF：某一单元的状态或其状态的变化将会影响到另一内存单元的状态，故CF故障又可以细分为三种故障

• CFin（Inversion Coupling Fault）- 倒置耦合故障

CFin：一个内存单元写0 或 写1操作将使另一个内存单元的逻辑值倒置，即由 0=>1 或者 1=>0

共用2种倒置耦合故障：CF(↑;↕)、CF(↓;↕) [↑表示由0=>1变化; ↓表示1=>0变化; ↕表示翻转]

• CFid（Idempotent Coupling Fault）- 固化耦合故障

CFid：一个内存单元写0 或 写1 操作将使另一个内存单元的值固定在一个确定值，可能为0，也可能为1

共有4中固化耦合故障：CF(↑;0)、CF(↑;1)、CF(↓;0)、CF(↓;1)

• CFst（State Coupling Fault）- 状态耦合故障

CFst：一个内存单元的值决定另一个内存单元的值

共有4中状态耦合故障：(0;0)、(0;1)、(1;0)、(1;1)

 

（4）NPSF（Neighborhood Pattern Sensitive Fault）- 相邻矢量敏化故障

NPSF：一个单元因相邻单元的活动导致状态不正确

 

4、补充故障类型

除了上述的故障类型外，根据JEDEC手册，还可以有IDD电流故障、模式寄存器故障、Self Refresh故障等......