CMOS: NAND电压传输特性

我们认为NAND拥有以下几种参数：

1. 阈值电压$V_{th}$：这是Inverter输出电平转换时的电压，通常认为此时$V_{in}=V_{out}$
2. 输出高电平$V_{OH}$：这是Inverter所能拥有的最大的输出电压，通常等于$VCC$
3. 输出低电平$V_{OL}$：这是Inverter所能拥有的最小输出电压，通常与地相等，为0
4. 输入高电平$V_{IH}$：这是最小的可以被Inverter判断为“1”的电压，在阈值电压右边，此时特性曲线斜率为-1
5. 输入低电平$V_{IL}$：这是最大的可以被Inverter判断为“0”的电压，在阈值电压左边，此时特性曲线斜率为-1

在NAND的两个输入电压$V_A=V_B=V_{in}$时，特性曲线如下所示：

为了计算这些参数，我们可以先将并联的两个pMOS合并成一个，将串联的两个nMOS合并成一个
两个并联的纵横比为W/L的MOS管合并后会变为2W/L
两个串联的纵横比为W/L的MOS管合并后变为W/2L
合并后的pMOS和nMOS串联，图像及各电压的表达式如下：

再计算电流时，我们会经常用到$C_{ox}\mu (W/L)$
这个式子中的$\mu ,(W/L)$会根据MOS管种类的变化而变化
通常我们将nMOS的简写为$k_n$，将pMOS的简写为$k_p$

为了使得电路对称，即充放电时间相等，我们需要让 $k_R=\frac{k_p}{k_n}=1$
对于NAND，这意味着合并后的$k_{n,eq}=k_{p,eq}$
根据我们前面提到的，合并后的k和之前的k的关系为：
$$k_{n,eq}=C_{ox}{\mu }_n(\frac{W}{2L})=\frac{k_n}{2},k_{p,eq}=C_{ox}{\mu }_p(\frac{2W}{L})=2k_p$$
意味着$\frac{k_n}{2}=2k_p$
$$k_n=4k_p$$

在分析时，处于线性工作区的MOS管可以被视为电阻，处于饱和工作区的MOS管被视为恒定电流源，处于截止状态的可以被视为断路

1. 阈值电压

当输入电压为阈值电压时，NAND的两组MOS管都处于饱和区，且通过他们的电流相等，运用MOS在饱和区的电流公式，我们可以得到：

代入之前图中的表达式，可以转化为：

根据设计出的$k_R=1$
我们可以求出$V_{th}关于$$V_{T0n},V_{T0p}$的表达式

2. 输出高电平

我们取$V_{in}$最小的时的$V_{out}$，可以观察到此时nMOS截止，pMOS处于线性区，输出电压等于电源电压VCC

3. 输出低电平

此时nMOS处于线性区，pMOS截止，$V_{out}$接地，输出电压为0

4. 输入高电平

此时nMOS处于线性区，pMOS处于饱和区，根据电流相等，我们可以得到：

代入之前图中的表达式：

然后我们可以得出$V_{out}$与$V_{in}$的关系式
根据定义，此时的$\frac{d{V}_{out}}{d{V}_{in}}=-1$
可以求出$V_{out},V_{in}$

5. 输入低电平

此时nMOS处于饱和区，pMOS处于线性区，通过与输入高电平相似的计算方式，我们可以得到对应的$V_{in}$