DDR2和DDR3的区别

区别		DDR2	DDR3	DDR4
性能区别	标准电压	1.8V	1.5V/1.35V
	等效频率1	DDR2-400\533\667\800	DDR3-1333\1600\1866\2133
	容量2	最小256Mb	最小1Gb
	封装3	60(×8)、84(×16) 126(×16)、63(×4)	78(×8)、96(×16)
	预取	4位	8位
	L-Bank	4、8	8
	参考电压4	VREF	VREFCA、VREFDQ
新增功能（DDR3相较于DDR2）	根据温度自刷新5	无	SRT、ASR功能
	ZQ校准6	无	ZQ功能
	重置7	无	Reset功能
	点对点连接8	无	P2P功能

1、DDR2的等效频率多为667M和800M，DDR3的等效频率多为1600M、1866M、2133M，DDR3也有其他的一些频率，如800M和1033M；

2、关于内存容量：通过查询镁光（Micron）和芯成（ISSI）的内存芯片得出的结论；

3、“×8”代表8位数据线的内存，DDR2的封装主要为60和84ball的FBGA，DDR3主要为 78和96ball的封装，因为DDR3比DDR2多了几个功能引脚；

4、V_REFCA为命令和地址信号的参考电压，V_REFDQ为数据总线的参考电压，这样有效的提高了系统数据总线的信噪等级；

5、如果未超过85°C的正常外壳温度限制，则既不需要SRT也不需要ASR，并且在整个操作过程中都可以禁用两者。但是，如果需要95°C的扩展温度选项，用户需要在（手动）刷新期间提供2倍的刷新率，并使SRT或ASR能够确保以2倍速率执行自刷新。

SRT强制DRAM将内部自刷新率从1x切换到2x。不管外壳温度如何，以2倍刷新率执行自刷新。

ASR是根据芯片外壳温度动态的调整自刷新率，ASR的另一个缺点是DRAM在85°C的精确外壳温度下不能始终从1x刷新到2x刷新率，有可能在低于85°C时就切换了。

由于只需要一种模式，SRT和ASR不能同时启用。

6、通过将专用的240Ω（±1%）外部电阻从ZQ引脚连接到V_SSQ，则ZQ校准命令用于校准DRAM的输出驱动器（RON）和ODT值（RTT）;

7、用于复位DRAM，且是异步信号；

8、为了提高系统性能而进行的重要改动。