1.1半导体基本知识
一、按导电能九强弱的不同分为导体、半导体、绝缘体
1.导体:易于导电的物质(金银铜铝、铁)(电阻小)
2不容易导电的物质称为绝缘体(玻璃、橡胶、塑料)(电阻大)
3.半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间(硅、错(Ge))
二,半等体.
1定义:导电介子1~2之间。
2半导体牛特点:①热敏性:温度越高,导电能力越高(电阻一定,热敏电阻)
(电阻大小)
②光敏性:光度越高,导电能力越高(电阻一定).
③掺杂性:掺杂元素,导电能力越高
1.2本征半导体
一、本征半导体
1.定义:本征半导体是指完全纯净,具有晶体结构的半导体
2结构:①电子,②粒子、空穴
本征半导体有两种导电的粒子,一种带有负电荷的自由电子,一种
是相当于带正电荷的粒子,称空穴;
二,载流子
1.定义:自由电子和空穴在外电场的作用下都会定向移动形成电流
2本征激发: 电子 流向 空穴
本征半将体中的自由电子和空穴数总是相等的
3,载流子运动:①组成:电子和空穴运动;②方向:和电了移动方向相反;
1.2.1杂质半导体
1定义:在本征半导体中掺入某些微量元素来作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化,(掺入杂质:三价或五价元素).
掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体;
2.特点:使体的导电性提高
3分类:P型/N型
二,N型半导体(电了型半导体)
1定义:在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的五价无素
(本征半导体+微量元素五价=N型半导体)
2.组成:自由电子十共价键,
3特点:多数载流子是电子,少数载流子是空穴,
4导电能力:主要靠自由电子
三.P型半导体(空穴半导体)
1定义:在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的三价元素
(本征半导体+微量三价元素=P型半导体)
2.组成:空穴.
3,特点:多数载流子是空穴,少数载流了是电子
1.2.3PN结的形成及特性.
一.PN结的形成
1.P型和N型半体构成:
在一块本征半导体中一端掺入三价杂质元素,另一端掺入五价杂质元素;
2.P型半导体中(P区)
多数载流子是空穴,少数载流子是电子
3.N型半导体(N区)
多数载流子是电子,少数载流子是空穴
4交界处:出现电子和空穴的浓度差
移动:电子和空穴都要从浓度高移动到浓度低的地方
① 扩散运动:多数载流子由于浓度差异而行成的运动。
④N:电子运动;P:空穴运动;
5.PN结形成:
①空间电荷区.
②多数载流子扩散并复合掉
二.内电场建立。
1.电场方向:①.N→ P区;② 载流子的方向相反
2.电场作用:①阻止多数载流子扩散,②使少数载流子漂移。
3、PN结处于动态,平衡状态
①扩散与漂移方向:相反 。
②扩散结果:使空间电荷减少。
③漂移结果:使空间电荷区变窄。
总结:PN结的形成:
P和N型半导体结合→多数载流子浓度差→扩散运动→内电场建立→阻碍扩散运动→促使漂移运动→动态平衡→形成空间电荷区→PN结形成.
三、PN结的单向导电性,
(1)PN结外加正向电压(正向偏置)
1定义:当加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位(P医高于N区)
2.P区加电源正极,N区加电源负极
3.在正向电压的作用下,PN结的平衡状态被打破,扩散运动强于漂移运动
4:
5正向导通:①电流方向:P→N;②大小:很大;③电阻:正向电阻很小
(2)PN结外加反向电压(反向偏置)
1定义:当外加电压使PN结中P区的电位低于N区的电位(P区低于N区)
① 反向电压:P区电位低于N区电位;P区接电源负极,N区接电源正极;
② 反向截止:电源小:方向N →P区,反向电阻大; 大小:近似等于零
总结:PN结正向电压时导通(正向电阻小,正向电流大)加反向电压时截止(反向电阻大,反向电流小,近似等于零)
四、PN结的反向击穿
1.定义:当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流快速增加;
2.所加电压:①方向 N区→P区; ②大小:快速增加;
3.电击穿:电流突增(电压大),电流很大(电压小)
a.定义:若反向电压下降到击穿电压以下后,其性能可恢复到原有情况,是可逆的。
b.分类:雪崩击穿、齐纳击穿;
4.热击穿:定义:若反向击穿电流过大,则会导致PN结温度过高而烧坏是不可逆的;
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