p型半导体两端加压能导电_【电子知识点】半导体器件

1.1半导体基本知识

一、按导电能九强弱的不同分为导体、半导体、绝缘体

1.导体:易于导电的物质(金银铜铝、铁)（电阻小)

2不容易导电的物质称为绝缘体(玻璃、橡胶、塑料）（电阻大)

3.半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间(硅、错(Ge))

二，半等体.

1定义:导电介子1~2之间。

2半导体牛特点:①热敏性：温度越高，导电能力越高(电阻一定，热敏电阻)

(电阻大小)

②光敏性:光度越高，导电能力越高(电阻一定).

③掺杂性:掺杂元素，导电能力越高

1.2本征半导体

一、本征半导体

1.定义:本征半导体是指完全纯净，具有晶体结构的半导体

2结构:①电子，②粒子、空穴

本征半导体有两种导电的粒子，一种带有负电荷的自由电子，一种

是相当于带正电荷的粒子，称空穴；

二，载流子

1.定义:自由电子和空穴在外电场的作用下都会定向移动形成电流

2本征激发: 电子 流向 空穴

本征半将体中的自由电子和空穴数总是相等的

3，载流子运动：①组成:电子和空穴运动；②方向:和电了移动方向相反；

1.2.1杂质半导体

1定义:在本征半导体中掺入某些微量元素来作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化，(掺入杂质：三价或五价元素).

掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体；

2.特点:使体的导电性提高

3分类:P型/N型

二，N型半导体(电了型半导体)

1定义:在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的五价无素

(本征半导体+微量元素五价=N型半导体)

2.组成：自由电子十共价键，

3特点:多数载流子是电子，少数载流子是空穴，

4导电能力：主要靠自由电子

三.P型半导体(空穴半导体)

1定义:在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的三价元素

(本征半导体+微量三价元素=P型半导体)

2.组成:空穴.

3，特点:多数载流子是空穴，少数载流了是电子

1.2.3PN结的形成及特性.

一.PN结的形成

1.P型和N型半体构成：

在一块本征半导体中一端掺入三价杂质元素，另一端掺入五价杂质元素；

2.P型半导体中(P区)

多数载流子是空穴，少数载流子是电子

3.N型半导体(N区)

多数载流子是电子，少数载流子是空穴

4交界处:出现电子和空穴的浓度差

移动:电子和空穴都要从浓度高移动到浓度低的地方

① 扩散运动:多数载流子由于浓度差异而行成的运动。

④N：电子运动；P：空穴运动；

5.PN结形成:

①空间电荷区.

②多数载流子扩散并复合掉

二.内电场建立。

1.电场方向:①.N→ P区；② 载流子的方向相反

2.电场作用：①阻止多数载流子扩散，②使少数载流子漂移。

3、PN结处于动态，平衡状态

①扩散与漂移方向:相反 。

②扩散结果:使空间电荷减少。

③漂移结果:使空间电荷区变窄。

总结:PN结的形成:

P和N型半导体结合→多数载流子浓度差→扩散运动→内电场建立→阻碍扩散运动→促使漂移运动→动态平衡→形成空间电荷区→PN结形成.

三、PN结的单向导电性，

（1）PN结外加正向电压(正向偏置)

1定义:当加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位(P医高于N区)

2.P区加电源正极，N区加电源负极

3.在正向电压的作用下，PN结的平衡状态被打破，扩散运动强于漂移运动

4:

5正向导通:①电流方向:P→N；②大小:很大；③电阻:正向电阻很小

（2）PN结外加反向电压(反向偏置)

1定义:当外加电压使PN结中P区的电位低于N区的电位(P区低于N区)

① 反向电压：P区电位低于N区电位；P区接电源负极，N区接电源正极；

② 反向截止：电源小：方向N →P区，反向电阻大； 大小：近似等于零

总结：PN结正向电压时导通（正向电阻小，正向电流大）加反向电压时截止（反向电阻大，反向电流小，近似等于零）

四、PN结的反向击穿

1.定义：当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流快速增加；

2.所加电压：①方向 N区→P区； ②大小：快速增加；

3.电击穿：电流突增（电压大），电流很大（电压小）

a.定义：若反向电压下降到击穿电压以下后，其性能可恢复到原有情况，是可逆的。

b.分类：雪崩击穿、齐纳击穿；

4.热击穿：定义：若反向击穿电流过大，则会导致PN结温度过高而烧坏是不可逆的；

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