p型半导体两端加压能导电_功率半导体应用知识讲座—肖特基二极管的基本结构与工作原理...

来源：本文节选自《电力半导体器件原理与应用》

早在20世纪40年代，人们就开始利用金属-半导体接触的单向导电性，当时将金属丝与氧化亚铜晶体接触做成点接触型二极管，将这种最简单的半导体器件用于检波。利用薄膜淀积技术可在半导体表面形成大面积的金属-半导体整流接触，做成面接触型的金属-半导体二极管，习惯上称之为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。目前，功率肖特基势垒二极管主要用铬、铂、钨、铝等金属与N型低阻硅制成，一个典型的肖特基二极管的结构如图1所示。

这里需要对阴极金属与重掺杂的N⁺层之间的接触进行说明。首先肯定是该接触为欧姆接触，与阳极的金属-半导体的整流接触不同。欧姆接触不仅仅看金属和半导体的功函数之差。更广义的所谓欧姆接触，是指接触电阻很小且不随外加电压的变化而改变其阻值的线性接触。在图1中，阴极使用的是高掺杂接触来做欧姆接触。在半导体表面与金属接触处，如果先用扩散或合金等方法，掺入高浓度的施主或受主杂质，构成金属-N⁺-N或金属-P